模拟ic入门——设计一个两级运放（一）两级运算放大器设计基础

模拟ic入门——设计一个两级运放（二）两级运算放大器结构确定与参数计算-CSDN博客

模拟ic入门——设计一个两级运放（三）电路仿真实例-CSDN博客

引言（为什么需要两级放大器）：上一节，我们介绍了一款折叠式共源共栅放大器，增益达到了7 0dB ，其它性能也比较良好。但在实际应用中，单级放大器的性能无法满足需求，并且仅靠改变电路中MOS 管的尺寸已无法对电路的性能进行大幅度的提升。

除此之外，单级放大器在面对多种指标要求时会产生各种矛盾，比如要想提升运放的线性范围，则增益会下降，直接驱动大负载时，放大器的增益与带宽都会受到严重的影响，因此运算放大器通常需要两级甚至两级以上的放大器组成。

为什么不用三级及以上的放大器？

对于更多级别的放大器，比如三级放大器的设计，多数是为了满足增益的要求，但三级放大器极点的增多会引起稳定性的下降，因此两级放大器是目前最常见的多级运放结构

主要内容：

（1）本章将讨论一款两级运算放大器，这款两级放大器对比上一章的折叠共源共栅放大器的MOS管数量得到了减少，但性能却得到了提升。通过合理的选择两级放大器电路的结构，可以满足大多数的指标要求。

（2）在介绍两级放大器设计思路的同时，还介绍了g m / I D 设计方法，这种设计方法相比利用饱和区平方律公式进行手算更加准确，并且在电路性能指标之间进行折中时也比较直观。通过Cadence 软件中进行仿真验证，结果显示了g m / I D设计方法的优越性

本章共分为三节介绍， 两级运算放大器设计基础， 两级运算放大器结构确定与参数计算以及电路仿真实例，本节先来介绍两级运算放大器设计基础

一、两级放大器结构概述

单级放大器只经过一次转换，即电压到电流的转换或者电流到电压的转换，因此增益往往被限制在MOS管的跨导与输出阻抗的乘积。

而上一章所设计的的 折叠共源共栅放大器，差分输入级将差模电压转换为差模电流，差模电流再经过电流镜负载恢复成差模电压，放大器的增益则相当于 两个MOS管本征增益的乘积。但由于其共源共栅结构的存在，其输出摆幅受到了非常大的影响，因此 无法用于低电压电源中。

若想满足较大的输出摆幅以及较高的增益，仅靠单级放大器已经无法满足，因此两级放大器的设计需求就更加广泛。 两级放大器相比单级放大器可以实现更多高性能的要求，对于单级放大器

仅让增益达到 50dB 就需要降低其它许多性能指标，而两级放大器假设每级增益为40dB ，总增益就能轻松达到 80dB 以上，并且其速度与带宽相比单级放大器都优秀许多

设计思路： 在进行两级放大器设计时，往往会将这两级分开进行处理与设计，如图所示

（1）通常输入级设计为高增益（通常用折叠式共源共栅），输出级设计为大摆幅（很少考虑高增益的共源共栅结构）

（2）相比单级运放，两级运放输入级基本都采用差分输入，因为电路复杂度增大，更需要提高电路的稳定性， 抑制输入噪声与共模干扰

二、两级放大器频率补偿

实际应用中，运算放大器常常采用负反馈系统来改善运放的稳定性，并且其开环增益越高，反馈放大器的精度也越高。但也正由于反馈系统的接入，反馈将输出反馈到输入后，系统很容易因为设计误差等失误而出现振荡，因此一个稳定的负反馈系统就需要有足够的相位裕度，而根据设计经验，相位裕度在60 ° ~90 °之间，系统会表现出较好的性能。

相位裕度给系统的影响：相位裕度过小，系统容易发生振荡而变得不稳定；相位裕度过大，系统的响应速度则会大幅度减小，因此在选择相位裕度时也要考虑速度与稳定性的折中。

两级运放需要频率补偿的原因：对于单级运放，通常只有一个极点，相移不会大于90deg，所以不需要相位补偿

对于两级放大器，相移能够达到180° ，当相移 180 °的频率点在单位增益频率之前，此时再加上负反馈所引入的180 °相移，运放系统的相移就超过了360 ° ，这个频率点的增益大于1 ，运放会将自身的噪声进行放大，运放系统就会在这个点发生振荡，因此在设计时两级放大器往往需要进行额外的频率补偿。

（补充相关知识：转载 模拟集成电路设计——相位裕度和频率补偿 - 知乎

放大器外接负反馈形成闭环回路时，负反馈提供180°的相移，如果放大器本身能提供180°相移，且此时的环路增益AF≥1就会产生振荡。闭环回路的增益表达式为

当FAv0=-1时就会产生振荡。若要求电路稳定需要满足两个条件：

1°当环路增益为1时，相位小于180°；

2°当相位为180°时，环路增益小于1。）

频率补偿最常用的方法——米勒补偿（Miller Compensation）

具体实现：在两级放大器的输入级与输出级之间添加一个 米勒电容Cc（网上和书上关于Miller补偿的原理和方法有很多，在此不赘述，可以参考Razavi的书）

就可以实现极点分裂，使非主极点频率变得更大，主极点频率变小，即将图像向左移，如图所示。这样可以使单位增益频率在非主极点之前，相移超过180 °的频率点在单位增益之后，在这个点系统就不会发生振荡。在设计两级甚至多级运放时，必须留出足够的相位裕度，从而使系统能够保持稳定。

三、gm/ID设计方法介绍

引入 gm/ID法的原因：

（1）上一章节我们设计折叠共源共栅放大器时，在确定电路结构之后，通过指标中的压摆率确定了电路的电流，再从单位增益带宽入手，利用晶体管的Square-law公式来确定电路中 MOS 管的尺寸，最终完成电路设计后，其仿真结果虽能满足设计指标，但存在着较大的误差，这在设计一些要求严格的复杂电路上非常受限，电路往往需要经过多次调试才能满足设计要求。

（2）除此之外，在先进的工艺库中，MOS 管的模型也变得更加复杂，很多工艺库已经无法直接查找到MOS 管的 μ 、 Cox 与 λ 参数， MOS 管的短沟道效应也变得更加严重，这时的Square-law 公式已经不适合计算晶体管的尺寸。

（3）通常在进行电路设计时，会以过驱动电压作为关键参数来对电路中的 MOS管进行设计。其中MOS 管一般被设置工作在饱和区，即令过驱动电压 VOD＞0 。目前随着多种需求的出现，为了满足低功耗的要求，有时需要MOS 管工作在亚阈值区来获得更低的功耗，由于二阶效应的存在，这时所设计MOS 管的过驱动电压与实际大小存在着非常大的误差。

在本章节中，我们将采用另一种设计方法，即利用gm/ID参数代替过驱动电压对MOS管的工作区域进行选择， 通过计算机软件仿真与手算相结合来进行电路设计，这个gm/ID参数不仅在设置时误差较小，并且对电路性能上的折中更为直观。

具体实现：（后面会出一期单独讲解gm/Id法）

MOS管的工作原理

（1）当 VGS 小于VTH 时， MOS 管会关断，但实际上VGS 在 VTH 附近时， MOS 管仍然存在较小的漏电流ID ，此时我们称MOS管工作在亚阈值区，也称为弱反型区

（2）当VGS 大于 VTH 时， MOS 管会工作于饱和区，也称为强反型区

（3）在实际情况下，强反型区与弱反型区中间会有一个中等反型的过渡区。根据设计经验，一般认为过驱动电压大于80mV时， MOS 管才会真正工作在饱和区

如上图 所示，图像的纵坐标为 MOS管的过驱动电压，横坐标为MOS 管的跨导gm 、特征频率 fT 、漏电流 ID以及跨导效率gm/ID

从图中可以看出，当工作于亚阈值区时，MOS 管的电流、跨导和特征频率fT 都比较小，较低的电流意味着较低的功耗，与此同时跨导效率gm/ID却很大，因此在一些有低功耗需求的电路会考虑MOS 工作在亚阈值区时的这些特性，而在一些对速度有需求的电路中应尽量避免MOS 管工作在亚阈值区

由MOS管工作在饱和区的平方律公式，我们推出这样一个关系式，即

，

通过这个式子不难发现， g m / I D 与过驱动电压有着紧密的关系，选择电路的g m / I D 其实就是在选择电路的过驱动电压 V OD 。比如当 g m / I D 等于 10 ，那么V OD ≈0.2V ，从这里就可以看出 gm/ID 的大小也能够反映器件的工作区域，并且选取不同的g m / I D 值实际上是电路在功耗和速度之间进行的折中

如何应用gm/Id法？——利用这个参数来替代平方律公式设计电路的器件尺寸

在设计之前，首先要对工艺库的晶体管进行仿真扫描，找出 g m / I D 与晶体管的本征增益、电流密度I D / W 以及其它参数之间的关系，然后再根据设计指标进行折中考虑，为每一个MOS 管选取合适的 g m / I D 大小

本节的内容就到这里，下一节将会着重介绍通过gm/Id法来确定两级运放的结构和参数计算