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一、半导体制造工艺的概述
下面我就将讲解半导体制造工艺的相关流程，整个工艺可分为前中后三段，对我国而言，需要攻关的难题主要集中在中段。下面我将介绍半导体制造的相关工艺：
前段工艺主要是单晶硅片的制造，主要分为拉单晶、切片、倒角、研磨、检测、清洗几个步骤；
中段工艺分为晶圆制造，主要分为硅片的氧化、涂胶和烘干、光刻、显影、时刻、离子注入、薄膜沉积、研磨几个步骤；
后段工艺分为晶圆封装测试，主要分为晶圆减薄、划片、贴片、引线键合、封装、测试几个步骤。
二、单晶硅片的制造
1.单晶硅的制造
对于单晶硅的制造，学过材料学的人可能听说过拉单晶的说法。这就指的是单晶硅制造中使用提拉法，是熔体生长法的一种。
提拉法首先需要准备好所需的多晶硅原料和籽晶杆，其中原料需要放入坩埚中熔化。籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，是生长单晶的种子。接着，籽晶杆带着籽晶插入熔体内，熔体可以沿着籽晶结晶。然后，开始以一定速度提拉并逆时针旋转，最终生长出棒状单晶体。
这样生产的单晶体生长速度快、质量好，适合大尺寸高质量晶体的批量生产。
2.晶棒的切割、研磨
机器在检测晶体的型号及纵向电阻率分布后，机器会对生长后的单晶硅棒进行切割，主要切去的是头部和尾部（检测不合格的地方也要切掉）产生圆柱形的单晶硅原料。
由于芯片制造对晶棒的直径及公差范围都有要求，又因为拉单晶做不到直接把直径控制到这个公差范围内，所以需要控制拉出的单晶直径比要求大3~5毫米，再把晶体放到滚磨机上进行外周滚磨，将截断后的晶棒的横截面直径控制在指定的范围。
3.晶棒的切片、倒角和打磨
首先，切片的工作流程是将许多根含有金刚石颗粒的钢线缠在轴上旋转，硅晶体穿过这些线以完成切片。
接着，我们需要对切好的晶片边缘进行倒角处理，可将晶片锐利的边沿修整成圆弧形，防止晶圆边缘破裂及晶格缺陷产生，增加晶圆边缘表面的机械强度，减少颗粒污染。
然后，切好的晶片需要进行化学机械研磨（cmp）设备进行厚度的统一和表面的抛光。打磨过程中，抛光液被不断地滴在抛光垫上，抛光液中的化学成分先与晶圆表面要去除的材料发生轻微化学反应，使其软化，然后抛光头施加压力并和抛光垫发生相对运动，除去反应物以达到整平目的。
4.晶圆的检测和清洗
每一片单晶硅也可称为晶圆，而晶圆的检测就是使用AOI检测设备检查外观缺陷，可检测产品外观有没有裂痕、位移偏差、缺失等。基本原理是采用摄像技术将被检测物体的反射光强以定量化的灰阶值输出，通过与标准图像的灰阶值进行比较，分析判定缺陷并进行分类。
清洗则是将晶圆浸入刻蚀剂中进行表面杂质的去除。
此刻，我们在电视新闻中常见的硅片就制造完成了。
三、晶圆制造
晶圆部分的流程很复杂&#x
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