模拟电子技术基础
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学习与巩固模电知识
廊桥遗梦728
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频率响应概述与波特图
在放大电路中,存在电抗元件(如电容、电感)、半导体管(存在极间电容)。由于电抗元件和极间电容的存在,当输入信号频率过高或过低时,不但放大倍数的数值会减小,而且将产生超前或滞后的相移。说明放大倍数(包括数值和相移)是信号频率 f 的函数,这种函数关系称为放大电路的频率响应或频率特性。原创 2024-03-16 18:44:10 · 1282 阅读 · 0 评论 -
放大电路静态工作点的稳定
温度、电源(VCC)的波动、元器件的老化等。对于电源的波动,可以用好的电源来抑制,使波动变得小;对于元器件的老化,可以在出厂前老化一下,后面可以稳定用很长时间。但对于温度,只能从电路结构上抑制温度的影响。原创 2024-02-22 23:44:54 · 422 阅读 · 1 评论 -
放大的概念及其性能指标
在输入信号的作用下,通过放大电路将直流电源的能量转换为负载所获得的能量,使负载从电源获得的能量大于信号源所提供的能量。其中将控制能量的元件称为有源元件;放大电路中必须存在有源元件,如晶体管、场效应管等。原创 2024-02-21 23:44:18 · 444 阅读 · 1 评论 -
绝缘栅型场效应管(IGFET)
绝缘栅型场效应管的栅极和源极、栅极和漏极之间均用隔离,故栅-源间电阻比结型场效应管大得多。又因栅极为金属铝,故又称。MOS管也有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型。因此MOS管的四种类型为:N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型。原创 2024-02-20 15:22:15 · 630 阅读 · 1 评论 -
结型场效应管(JFET)
结型场效应管有N沟道和P沟道两种类型,将重点介绍N沟道结型管,结构如下。在一块N型半导体上面制作两个高掺杂的P区,并将其连接在一起,所引出的电极称为,N型半导体的两端分别引出两个电极,一个称为,一个称为。漏极与源极之间的非耗尽层区域称为。原创 2024-02-19 16:59:58 · 612 阅读 · 1 评论 -
晶体三极管
晶体三级管中有两种带有不同极性电荷的载流子(自由电子与空穴)参与导电,故称之为双极性晶体管(BJT),又称半导体三极管,简称晶体管。如上图所示,后两种器件有孔,便于安装散热器,防止功率过大发热而损坏。原创 2024-02-16 17:46:41 · 1203 阅读 · 1 评论 -
半导体二极管
将PN结用外壳封装起来,再加上两根电极引线,就构成了普通的半导体二极管。由P区引出来的电极为阳极,N区为阴极。原创 2024-02-14 20:57:11 · 503 阅读 · 1 评论 -
半导体基础知识
指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。物质的导电性取决于原子结构,而半导体材料的最外层电子既不像导体那样容易摆脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因而其导电性介于二者之间。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂志元素时,导电性能可以有几百万倍的增长,因此导电性能具有可控性;并且在光照和热辐射条件下,其导电性能还有明显的变化;这些特殊性质决定了半导体可以制成各种电子器件。原创 2024-02-08 15:40:54 · 1285 阅读 · 0 评论