频率响应概述与波特图

本文详细解释了放大电路中的频率响应,包括幅频特性曲线,高通电路(耦合电容影响)和低通电路(极间电容影响),以及如何通过波特图来展示不同电路对不同频率信号的响应。
摘要由CSDN通过智能技术生成

频率响应的定义

在放大电路中,存在电抗元件(如电容、电感)、半导体管(存在极间电容)。由于电抗元件和极间电容的存在,当输入信号频率过高或过低时,不但放大倍数的数值会减小,而且将产生超前或滞后的相移

说明放大倍数\vec{A_{u}}(包括数值\left | \vec{A_{u}} \right |和相移\varphi)是信号频率 f 的函数,这种函数关系称为放大电路的频率响应频率特性


幅频特性曲线

幅频特性曲线:放大倍数的数值与信号频率 f 的关系曲线。

其中,\left | \dot{A_{um}} \right |为中频段的电压放大倍数,称为中频放大倍数

f_{L}为下限截止频率,简称下限频率f_{H}为上线截止频率,简称上限频率,指信号在原来放大倍数数值的0.707倍处的频率。

通频带f_{bw}:指两个截止频率之间的频带,称为中频带或通频带。用来描述放大电路对不同频率信号的的适应能力。

对于任何一个具体的放大电路,都存在一个确定的通频带。


 两类电容对频率特性的影响

放大电路存在两类电容:耦合电容(或旁路电容)、极间电容。

耦合电容——高通电路

 耦合电容C的阻抗为\frac{1}{j\omega C},当输入信号角频率升高,即\omega升高,电容C的阻抗会随之减小。

输入高频信号:当输入信号频率足够高时,C的容抗可以忽略不计,电容相当于短路,信号可以几乎无损耗的通过。

输入低频信号:此时电容的容抗不可忽略,信号将在其上产生压降,从而导致放大倍数减小,并且由于电容的作用将产生相移。

可以看出对高频信号来说可以直接通过,对低频信号却产生衰减,故称之为高通电路

极间电容——低通电路

极间电容:指三级管等的基极、发射极、集电极任两者之间实际存在的等效电容。从电路上看不到这个电容,是极间实际存在的电容效应的抽象。

输入低频信号:当频率足够低的时候,电容的电抗足够大,相当于开路。

输入高频信号:随着输入信号频率逐步上升,电容C的容抗开始逐渐的降低,导致放大倍数的数值减小并且产生相移。


 高通电路

在放大电路中,由于耦合电容的存在,对于信号构成了高通电路。

输入信号频率:f

角频率:\omega =2\pi f

电容的复阻抗:Z_{c}=\frac{1}{j\omega C}=\frac{1}{j2\pi fC}

RC回路时间常数:\tau =RC

\omega _{L}=\frac{1}{RC}=\frac{1}{\tau },则f_{L}=\frac{\omega _{L}}{2\pi }=\frac{1}{2\pi RC}

电压放大倍数

复数坐标系中分别画出分子分母的线:

故放大倍数可表达成幅值与相移形式

其中,幅值与频率的函数关系为幅频特性;相移与频率的函数关系为相频特性。图形如下所示:

对于高通电路,频率越低,衰减越大,相移越大;当信号频率远高于下限截止频率时,输出信号才约等于输入信号。高通电路相移为超前相移。在下限频率处,幅值(放大倍数)为原来的0.707倍,相移恰为45°。


低通电路

在放大电路中,由于半导体管极间电容的存在,对信号构成了低通电路。

同样将放大倍数转换成幅值与相移形式

得出幅频特性相频特性

对于低通电路,频率越高,衰减越大,相移越大;只有当信号频率远小于上限频率时,输出信号才约等于输入信号。低通电路相移为滞后相移。同样,在上限频率处,幅值(放大倍数)为原来的0.707倍,相移为-45°。


 波特图

在研究放大电路的频率响应时,输入信号的频率范围通常在几赫兹到上百兆赫兹,甚至更宽。放大电路的放大倍数可以从几倍到上百万倍。故采用对数坐标来表示如此宽的范围,即波特图。

波特图(也称伯德图)由对数幅频特性和对数相频特性两部分组成,它们的横轴采用对数刻度lgf,幅频特性纵轴采用20lg\left | \dot{A_{u}} \right |表示,单位是分贝(dB);相频特性仍然采用\varphi表示。

对于高通电路的波特图

在电路的近似分析中,为简单起见,常将波特图的曲线折线化,称为近似的波特图。当其为下限频率时为-3dB。

对于低通电路的波特图

其波特图和近似的波特图如下所示,同样,在上限频率处其增益为-3dB。

 

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