导读:本期为 AI 简报 20210219 期,将为您带来 8 条相关新闻,新春过后第一弹,春天到啦,开工大吉~新年新气象,希望大家多多关注社区,更多精彩等着你~
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1. STM32 嵌入式机器学习(TinyML)实战教程-01 | 边缘智能实验室
第1部分:总体介绍
在STM32H747I Discovery开发板上,使用机器学习技术,开发机器视觉应用,本教程由ST(意法半导体)官方发布。
边缘智能实验室原创中文字幕,感谢支持。
视频中涉及的文档(也可到ST官网下载):
链接:https://pan.baidu.com/s/1K1Dr2vMUZ8UmtVbZHkKAVA
提取码:w41p
2. 为AI而生,打破存储墙,佐治亚理工等提出新型嵌入式无电容DRAM | 机器之心
当今计算中最大的问题之一是「存储墙」,即处理时间与将数据从单独的 DRAM 存储器芯片传送到处理器所花费时间之间的差距。AI 应用的日益普及只会加剧该问题,因为涉及面部识别、语音理解、消费商品推荐的巨大网络很少能容纳在处理器的板载内存上。
在 2020 年 12 月举行的 IEEE 国际电子设备会议(IEDM)上,一些研究小组认为:一种新型的 DRAM 可能成为「存储墙」问题的解决方案。他们表示:「这种新型的 DRAM 由氧化物半导体制成,并内置在处理器上方的各层中,其位长是商用 DRAM 的数百或数千倍,并且在运行大型神经网络时可以提供较大的区域,节省大量能源。」
新型嵌入式 DRAM 仅由两个晶体管制成,没有电容器,简称为 2T0C。之所以可以这样做,是因为晶体管的栅极是天然的电容器(尽管有些小)。因此代表该位的电荷可以存储在此处。该设计具有一些关键优势,特别是对于 AI 来说。
原文链接:https://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/memory/new-type-of-dram-could-accelerate-ai