Nand Flash vs Nor Flash

Flash是常见的用于存储数据的半导体器件，又称闪存，主要分为两种：NOR FLASH和NAND FLASH。NOR FLASH的内部结构采用或非门逻辑设计，而NAND FLASH采用与非门逻辑设计。它具有容量大、可重复擦写、按“扇区/块”擦除、掉电后数据可继续保存的特性。下面将从多个方面对这两种FLASH进行分析比较。

接口差别

NOR FLASH带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地访问其内部的每一个字节。NOR的地址线和数据线分开，它可以按“字节”读写数据，符合CPU 的指令译码执行要求，所以假如NOR上存储了代码指令，CPU给NOR一个地址，NOR就能向CPU 返回一个数据让CPU执行，中间不需要额外的处理操作，因此可以用NOR Flash 直接作为嵌入式 MCU 的程序存储空间。

NOR的最大特点是芯片内执行，这样应用程序就可以直接在FLASH闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND FLASH器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的数据和地址线共用，只能按“块”来读写数据，假如NAND上存储了代码指令，CPU给NAND地址后，它无法直接返回该地址的数据，所以不符合指令译码要求。若代码存储在NAND上，可以把它先加载到 RAM 存储器上，再由CPU执行。所以在功能上可以认为NOR是一种断电后数据不丢失的 RAM，但它的擦除单位与 RAM 有区别，且读写速度比RAM要慢得多。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点与硬盘管理操作类似。于是，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他存储设备。NAND结构能提供极高的单元密度，同时可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。但应用NAND的困难在于FLASH的管理和需要特殊的系统接口。  

读写性能

FLASH闪存是非易失存储器， 其处理单元称为块，可以对单元块进行擦写和再编程。任何FLASH器件的写操作只能在空的或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写操作之前必须先执行擦除操作。NAND器件执行擦除操作十分简单，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

NOR与NAND 在数据写入前都需要有擦除操作，但实际上NOR Flash 的一个bit可以从1变成0，而要从0变1就要擦除后再写入，NAND Flash 这两种情况都需要擦除。擦除操作的最小单位为“扇区/块”，这意味着有时候即使只写一字节的数据，则这个“扇区/块”上之前的数据都可能会被擦除。

由于擦除NOR器件是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反， NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除操作时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距， NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

容量和成本

NOR FLASH占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND FLASH则是用在大容量存储器的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在Compact FLASH、 Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

在价格方面，NOR FLASH相比NAND FLASH要高，NAND FLASH的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。    

可靠性

NAND FLASH中的坏块是随机分布的，生产商也曾试图努力消除坏块，但发现成品率太低，代价太高。NAND FLASH需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用，通过虚拟地址映射技术让用户感觉不到坏块的存在，而NOR FLASH中一般不会出现坏块问题。并且NAND FLASH中出现FLASH位翻转（一个bit位发生翻转） 现象的机率要比NOR FLASH大得多， 这个问题在FLASH存储关键文件时是致命的，所以在使用NAND FLASH时建议同时使用EDC/ECC等校验算法，以确保数据的正确性。

可以简单地认为Flash内部存储单元使用哪种门作存储单元就是哪类型的Flash，U盘，SSD，eMMC等为NAND型，而NOR Flash则根据设计需要灵活应用于各类PC 上，如 BIOS，手机等。