【转】三极管BJT与场效应管FET的区别

场效应管介绍

     场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

 

三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列几条:

1.三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是垮导gm;

2.驱动能力:MOS管常用电源开关管,以及大电流地方开关电路;

3.成本问题:三极管便宜,MOS贵;

4.BJT线性较差,FET线性较好;

5.BJT噪声较大,FET噪声较小;

6.BJT极性只有NPN和PNP两类,FET极性有N沟道、P沟道,还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;

7.功耗问题:BJT输入电阻小,消耗电流大,FET输入电阻很大,几乎不消耗电流;

    

    实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制;MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

总的看,无论在分立元件电路还是集成电路中,FET替代BJT都是一个大趋势。

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