通俗的来说，eMMC=NAND闪存+闪存控制芯片+标准接口封装。本文大致做下边几个小结：
（1）MMC与Host之间的连接
连接由下图可见
（2）eMMC和NAND Flash与Host的连接比较
NAND Flash直接接入Host
NAND Flash 直接接入 Host 时，Host 端通常需要有 NAND Flash Translation Layer，即 NFTL 或者 NAND Flash 文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。
由eMMC接入Host
eMMC则在其内部集成了 Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。同时，eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。
（3）Flash Controller与NAND Flash的连接
由上知MMC相较于NAND Flash，内部集成了 Flash Controller，其与存储介质大致连接如图。
（4）关于Flash Controller/MMC Controller
包括Card Interface（CMD，DATA，CLK）、Memory core interface、总线接口控制（Card Interface Controller）、电源控制、寄存器组。
图中寄存器组的功能见下表：
CID: 卡身份识别寄存器 128bit,只读， 厂家号，产品号，串号，生产日期。
RCA: 卡地址寄存器，可写的16bit寄存器，存有Device identification模式由host分配的通信地址，host会在代码里面记录这个地址，MMC则存入RCA寄存器，默认值为0x0001。保留0x0000以用来将all device设置为等待CMD7命令状态。
CSD: 卡专有数据寄存器部分可读写128bit，卡容量，最大传输速率，读写操作的最大电流、电压，读写擦出块的最大长度等。
SCR: 卡配置寄存器， 可写的 64bit 是否用Security特性(LINUX不支持)，以及数据位宽（1bit或4bit）。
OCR: 卡操作电压寄存器 32位， 只读，每隔0.1V占1位， 第31位卡上电过程是否完成。
（5）Device Identification Mode和初始化
MMC通过发CMD的方式来实现卡的初始化和数据访问
Device Identification Mode包括3个阶段Idle State、Ready State、Identification State。
Idle State下，eMMC Device会进行内部初始化，Host需要持续发送CMD1命令，查询eMMC Device是否已经完成初始化，同时进行工作电压和寻址模式协商：eMMC Device 在接收到这些信息后，会将OCR的内容（MMC出厂就烧录在里面的卡的操作电压值）通过 Response 返回给 Host，其中包含了 eMMC Device 是否完成初始化的标志位、设备工作电压范围 Voltage Range 和存储访问模式 Memory Access Mode 信息。
如果 eMMC Devcie 和 Host 所支持的工作电压和寻址模式不匹配，那么 eMMC Device 会进入Inactive State。
Ready State，MMC完成初始化后，就会进入该阶段。
在该 State 下，Host 会发送 CMD2命令，获取eMMC Device 的CID。
CID，即 Device identification number，用于标识一个 eMMC Device。它包含了 eMMC Device 的制造商、OEM、设备名称、设备序列号、生产年份等信息，每一个 eMMC Device 的 CID 都是唯一的，不会与其他的 eMMC Device 完全相同。
eMMC Device 接收到CMD2后，会将 127 Bits 的CID的内容通过 Response返回给 Host。
Identification State，发送完 CID 后，eMMC Device就会进入该阶段。
Host 会发送参数包含 16 Bits RCA 的CMD3命令，为eMMC Device 分配 RCA。设定完 RCA 后，eMMC Devcie 就完成了 Devcie Identification，进入 Data Transfer Mode。
（6）eMMC工作电压和上电过程
根据工作电压的不同，MMC卡可以分为两类：
High Voltage MultiMediaCard，工作电压为2.7V~3.6V。
Dual Voltage MultiMediaCard，工作电压有两种，1.70V~1.95V和2.7V~3.6V，CPU可以根据需要切换
我所使用的eMMC实测工作电压VCC为2.80V~2.96V，VCCQ为1.70V~1.82V。
其中VCC为MMC Controller/Flash Controller的供电电压，VCCQ为Memory和Controller之间I/O的供电。
上电初始化阶段MMC时钟频率为400KHz，需要等电压调整到它要求的VCC时（host去获取OCR中记录的电压值，上面有说），MMC时钟才会调整到更高的正常工作频率。我所使用的MMC测得正常工作时钟频率为50MHz。
各个信号的描述如下：
- CLK
用于从 Host 端输出时钟信号，进行数据传输的同步和设备运作的驱动。
在一个时钟周期内，CMD 和 DAT0-7 信号上都可以支持传输 1 个比特，即 SDR (Single Data Rate) 模式。此外，DAT0-7 信号还支持配置为 DDR (Double Data Rate) 模式，在一个时钟周期内，可以传输 2 个比特。
Host 可以在通讯过程中动态调整时钟信号的频率（注，频率范围需要满足 Spec 的定义）。通过调整时钟频率，可以实现省电或者数据流控（避免 Over-run 或者 Under-run）功能。 在一些场景中，Host 端还可以关闭时钟，例如 eMMC 处于 Busy 状态时，或者接收完数据，进入 Programming State 时。
- CMD
CMD 信号主要用于 Host 向 eMMC 发送 Command 和 eMMC 向 Host 发送对于的 Response。
- DAT0-7
DAT0-7 信号主要用于 Host 和 eMMC 之间的数据传输。在 eMMC 上电或者软复位后，只有 DAT0 可以进行数据传输，完成初始化后，可配置 DAT0-3 或者 DAT0-7 进行数据传输，即数据总线可以配置为 4 bits 或者 8 bits 模式。
- Data Strobe
Data Strobe 时钟信号由 eMMC 发送给 Host，频率与 CLK 信号相同，用于 Host 端进行数据接收的同步。Data Strobe 信号只能在 HS400 模式下配置启用，启用后可以提高数据传输的稳定性，省去总线 tuning 过程。
EMMC的不同模式如下：
EMMC的读
EMMC的写
EMMC的command格式
Host的command是48bit的串行输入，格式如下
Device的response格式
数据格式
支持1bit databus，4bits databus和8bits databus的模式。比如下图的8bits SDR databus：
8bits DDR databus：
EMMC的总线Sampling tunning
emmc是clk+data的传输模式，host需要调整clk和data之间的相对相位，保证采样点在最佳位置。其tunning的过程如下：
1. Host 将采样时间点重置为默认值
2. Host 向 eMMC Device 发送 Send Tuning Block 命令
3. eMMC Device 向 Host 发送固定的 Tuning Block 数据
4. Host 接收到 Tuning Block 并进行校验
5. Host 修改采样时点，重新从第 2 步开始执行，直到 Host 获取到一个有效采样时间点区间
6. Host 取有效采样时间点区间的中间值作为采样时间点，并推出 Tuning 流程
tunning的调整是通过delay line实现的，其结构一般如下：
首先通过下面的main delay line的calibration（借助PD），可以得到多少个delay cells可以实现一个cycle的delay（输入clk和输出clk经过delay cells完全同相位）；由此可以计算出一个delay cell可以delay clk多少相位（一个周期的几分之一）；
EMMC的clk和data strobe信号是经过delay line的，根据上面Calibration的结果，在tunning的过程中可以调整delay line的delay cells个数，实现clk/data strobe的相位移动，从而实现clk/data strobe和data[0:7]之间的最佳采样点。
由此可将EmmC接口的ATE测试重点是delay line的测试，只要delay line是ok的，理论上clk和data之间的时序就是可以自动调整到最佳。
375
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
