常见二极管特性及其典型应用场合梳理

本文梳理下电路设计中常用的二极管特性及其应用场景。

二极管常用特性

二极管的代表符号：

从左到右为阳极到阴极，既二极管具有由 “正”到“负” 的单向导通性。

伏安特性曲线：

由上图所示，为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，从上图可以看出，当二极管的正向电压未达到其开启电压的时候，二极管是没有导通的，这段区域被称之为死区电压，当正向电压超过导通电压之后，二极管导通，二极管导通所需要的电压为导通电压。

例如，当输入的电压为5V，在电路中串联一个导通电压为0.7V的硅二极管，则此时在二极管后端可以测量出的输出电压为5-0.7=4.3V，二极管的正向导通电压越低越好，因此锗二极管正向性能>硅二极管。

对于反向特性：由图可以看出，硅二极管在施加反向电压的一定范围内，其伏安特性曲线是保持稳定的，而锗二极管的反向特性劣于硅二极管。因此，应当根据不同的使用场景选择硅锗二极管。

二极管的几个常用特性：

• Ud：二极管两端的电压 V正-V负
• Is：反向饱和电流
• Ut：温度电压当量，26mv
• Id：流过二极管的电流
• 导通压降：硅0.7V，锗0.2V

二极管在使用过程中，容易受到温度影响，以下为温度对二极管的影响曲线：

温度升高，导通电压变小，反向饱和电流增大。

二极管的主要参数

最大整流电流IF：长期运行时，允许通过的最大正向平均电流，超过时，二极管烧毁。

最大反向工作电压UR：二极管工作时允许施加的最大反向电压，超过时，二极管反向击穿烧毁。

(UR=1/2*U击穿电压)

反向电流IR：未被击穿时的反向电流，对温度敏感，越小二极管单向导电性越好。

最高工作频率：工作时的上限截止频率。

常用二极管

稳压二极管

稳压二极管的特性

稳压二极管利用二极管的反向击穿特性实现稳压，稳压时工作在反向击穿状态：既-UZ状态，需要注意的是，此时方向电流需在ΔIz范围内才可以正常稳压。

稳压二极管的另外一个重要参数为最大耗散功率Pzm=稳定电压UZ*最大稳定电流IZMAX

当功率超过此值时，会因温度过高而损坏稳压管

稳压管的典型应用场景

TVS二极管

1.TVS二极管的特性

TVS二极管，全称为：瞬态电压抑制二极管，也可以根据其特性称为雪崩击穿二极管。

TVS二极管拥有相当快速的响应时间和浪涌吸收能力。

先看下图(图1)TVS二极管的特性：

工作原理：TVS二极管使用了半导体器件的雪崩击穿原理，当反向电压过大时，少子的漂移被加速，撞击中性粒子而引发雪崩效应。

因此在上图的工作特性曲线中，当反向电压超出雪崩电压范围时，引发雪崩效应，特性曲线迅速下滑，二极管以10的负12次方秒量级的速度由高阻态变为低阻态。此时，将浪涌大电流导向二极管，并将电压钳制在一定范围，保护其后续精密电路免受浪涌影响。

图2：

2.TVS二极管的应用

 TVS二极管通常在电路中用于ESD和EMI防护，防止因静电等异常过电压导致的异常过电流影响。

在电路设计中，防止如静电等瞬时脉冲对后续敏感器件损害的最好方法，就是将瞬时电流从需要保护的敏感器件处引开。此时，可以将TVS二极管与受保护器件并联（如上图2）并将一端接地。

当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS二极管发生雪崩效应，提供给瞬时电流一个超低阻抗，将瞬时电流导入大地，从而保护后续被保护的电路。

3.典型应用场景

1.TVS二极管在交流电路中的应用：

在电网到整流桥中间加入一个双向TVS二极管，能够有效吸收过载脉冲，保护整流桥及其他元器件

 

 2.在直流电路中，在电源输出或采样电路中使用TVS二极管，可以保护可能因静电，异常电压造成的损害。

 4.注意事项

值得注意的是，虽然TVS二极管能够吸收浪涌大电流，并将电压钳制在一定范围，但当瞬时电压超出TVS二极管所能承受范围的数倍时，仍有可能将TVS二极管烧毁，导致电路电源对地短路。因此在实际设计过程中，应当考虑不同型号的TVS二极管所能承受的相关特性。

常见TVS二极管型号及封装：

肖特基二极管

肖特基二极管的特性

肖特基二极管（势垒二极管）是由金属和半导体形成的二极管，其主要特点为：

1. 正向导通压降低，通常只有0.4V，低于普通二极管的0.7V，因此功耗更低。
2. 反向恢复时间特别短(ns级)，适合高频工作场合。
3. 耐压低，通常低于200V，反向漏电流大，常用于输出电压较低开关电源。
4. 通过电流的能力比普通二极管强，可以通过高频电流。

其正向伏安特性曲线如下：

典型应用场合

1.钳位二极管，防止电流倒灌损坏电路

2.续流二极管，接入产生感应电动势元件两端形成回路，使产生的高电动势在回路以续电流方式消耗