二极管分类，主要参数及应用场景（二）

目录

二极管的主要参数

主要参数

伏安特性

动态特性

---

二极管的主要参数

主要参数

二极管的参数在数据手册中都有说明，如下图，不同类型二极管参数会有不同，下面对二极管的主要参数进行简单解释：

最高反向工作电压VRM： 二极管两端允许加载的最大反向电压，如果大于该值，则反向电流IR急剧增大，二极管的单向导电性被破坏，二极管反向击穿。因此，通常选取反向击穿电压VBR的一半作为VRM。

反向重复峰值电压VRRM： 包括所有重复瞬态电压，不包括不重复瞬态电压。通常是与电路相关，比如交流信号每个周期的最高点即重复峰值电压。

最大整流电流IF： 二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

平均整流电流IO： 设计电路时参考该电流，电流值大小通常为IF的一半，所设计电路电流最好不要超过二极管的平均整流电流。

峰值正向浪涌电流IFSM： 是允许流过的瞬间电流，超过该值会损坏二极管。

反向电流IR： 二极管在规定的温度和反向电压作用下，流过二极管的反向电流，该电流越小，说明二极管的单向导电性越好。反向电流与温度密切相关，大约每升高10℃，反向电流增大一倍。

结电容CT： 结电容的大小表示二极管的频率特性，因为存在结电容，当频率很高时，容抗小到使PN结短路，导致二极管失去单向导电性。

反向恢复时间trr： 二极管从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬间截止，需要延时一点时间，该时间为反向恢复时间，并决定二极管的开关速度。

伏安特性

PN结的主要特性：

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。

PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

二极管的伏安特性曲线如下图：

二极管的伏安特性曲线

死区： 外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，该区域为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为 0.5 V, 锗的死区电压约为 0.1 V，该电压值又称门坎电压或阈值电压。

正向特性： 大于导通电压的区域称为导通区，当流过二极管的电流I比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6～0.8V(通常取0.7V)，锗管约为0.2～0.3V(通常取0.2V)。

反向特性： 在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关，此部分为截止区。

反向击穿： 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。

动态特性

高频信号加载在二极管上时，需要考虑二极管的动态特性。二极管的单向导向性并不理想，PN结除了构成单向导电的二极管外，还存在一个结电容，结电容导致“双向导电”，如图所示：

结电容的作用使得实际二极管需要一段时间来“恢复”反向阻断能力，不同工艺影响二极管结电容大小：

点接触的PN结，可以减小结电容，但降低二极管的通流能力。

面接触，通流能力强，但是结电容更大。

低频时，反向导电占整个周期的比例很小，二极管仍可以看成是单向导电的;高频时，如果反向导电占整个周期的比例很大，二极管称为“双向导电”器件，也就无法使用了。