WNM2021是一款N沟道20V，0.89A的小信号MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供低RDS(ON)和低阈值电压。适用于DC-DC转换、电源开关及充电电路。具备无铅、无卤素特性，标准封装为SOT-323。
WNM2021
N沟道，20V，0.89A，小信号MOSFET
说明
WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。
标准产品WNM2021不含铅，不含卤素
特征
*WILLSEM FAE:13723714318
海沟技术
超高密度电池设计
优异的导通电阻
极低的阈值电压
小包装SOT-323
应用
DC-DC转换器电路
小信号开关
负载开关
等级转换
参数符号10 S稳态单元
漏源电压VDS 20
栅源电压VGS±6
V
TA = 25°C 0.89 0.82
连续漏极电流a
TA =70℃
ID
0.71 0.65
一个
TA = 25℃0.37 0.31
最大功耗a
TA =70℃
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