使用STM32中遇到的及C语言的一些问题及解决方法

 1.st-link下载STM32程序出现Internal command error和Error:Flash download failed. Target DLL

方法1：首先检查SWIO,SCLK,GND,VCC,RST这五根线是否都接了，有些情况把RST接上就好了，还有我是用的国信长天G431开发板，VCC应该接在开发板的5V引脚，另一边接在stlink的3.3v引脚,当时接的5v,stlink上的灯就熄灭了，改为3.3v这次的问题就解决了。

剩下的方法是在网上看到的解决他人的问题的方法

方法2:按住开发板RST引脚，电机IDE下载图标，松手，完成下载，下次就不会出现Error了。

方法3:将Keil中Debug->Setting->Reset 由normal改为pre-reset;

st-link下载STM32程序出现Flash download faild -m3

方法：查看是不是芯片信号选错了，比如用的是C8T6,但KEIL中选择的是ZET6,这样Debug-Setting中选择的就是high-density高容量，就烧录错误，改为C8T6,C/C++那里定义STM32F10X_MD,而不是HD,

Med-density中等容量而不是高容量。

2.编译使用CubeMX生成的代码时报错

Error: L6218E: Undefined symbol HAL_PWREx_DisableUCPDDeadBattery (referred from stm32g4xx_hal_msp.o).
解决方法：将HAL_PWREx_DisableUCPDDeadBattery改为HAL_PWREx_DisableUSBDeadBatteryPD

3.main.c中有个变量另一个X.c文件也想访问，变量的定义问题：

1.在main.h头文件中声明一个变量 extern uint8_t str[21];(不是定义，而是声明）
2.main.c及X.c文件都Include “main.h”
3.随便一个函数中定义这个变量:uint8_t str[21]=“123”(这样的才是定义)
4.这样就都可以访问了，直接在h文件中定义会提示在两个c文件中重复定义。

4.使用ADC测量电压值时:

使用的全局变量来接收，uint8_t Voltage 回调函数中使用uint32_t temp=HAL_ADC_GetValue(hadc1);导致Voltage值太小了，一步步排查最后发现时变量为8位的装不下！！！--2022.03.29备赛蓝桥嵌入式

5.使用STM32MP157时stlink 连接不了:

更改Port为JTAG或者SW,下面Connect为Normal或者under_reset，Pack部分enable打勾。只要切换这些操作过程中Serial序列号变了，那就保存退出开始烧写

6.volatile关键字作用

volatile 表示强制编译器减少优化，告诉编译器必须每次去内存中取变量值。

程序运行时数据是存储在主内存（物理内存）中的，每个线程先从主内存拷贝变量到对应

的寄存器中。对没有加 volatile 的变量进行读写时，为了提高读取速度，编译器进行优化时，会

先把主内存中的变量读取到一个寄存器中，以后，再读取此变量的值时，就直接从该寄存器中

读取，而不是直接从内存中读取了，这样的读写速度比较快。如果其它程序改变了内存中变量

的值，上面已经保存到寄存器中的值不会跟着改变，从而造成应用程序读取的值和实际的变量

值不一致。加了 volatile 以后的变量，表示不想被编译器优化掉，每次都要从内存中读取该变量

的数据，不会用寄存器里的值，这样确保了数据的准确性，但影响了效率。

8.使用cubemx生成用于mp157的程序时，引脚需要指定给A7还是M4:

9.点击debug 出现flash download fail m4:

Debug中右边AP处填写2

debug中取消打勾Enable

取消打勾Update Target before Debugging 因为MP157的M4中没有flash,不能下载程序进去

10.error: #268: declaration may not appear after executable statement in block

解决：勾选c99 Mode

11，报错与arm-version有关的：

解决：Code Generation中arm compiler由版本6改为5.