晶体震荡电路解析&负载电容选择

一、 晶体起振详解：

对于振荡电路，必须有正反馈，且闭环增益大于1，晶体与负载电容构成Π型滤波电路（带通），共振频率可以通过。
芯片的时钟电路详见：芯片晶振内部电路（皮尔斯振荡电路）。

上图 R1 是反馈电阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区。 R2 是隔离电阻，把输出与π形网络隔离开来。此电阻会与 C2 造成些许额外的相移。这个电阻的作用有：抑制高频混附振荡，以获得干净的输出讯号；降低石英晶体的驱动功率，以防止超过石英晶体的容许驱动功率。

二、石英晶体

石英晶体有一种特性，如果在晶片某轴向上施加压力时，相应施力的方向会产生一定的电位。相反的，在晶体的某些轴向施加电场时，会使晶体产生机械变形。如果在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，机械形变振动又会产生交变电场，尽管这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电效应”。将石英晶片按一定的形状进行切割后，再用两个电极板夹住就形成了无源晶振。

晶振的振动就像弹簧；晶体的振动频率和石英晶体的面积、厚度、切割取向等有关。
越长的抖得越慢
越粗的抖得越慢
越软的抖得越慢
不过太短太细太硬的抖不起来。
晶振是机械振动，具有机械振动的特征：形状、几何尺寸、质量等，决定振动频率。

下图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的等效电路。

其中：
C1为动态等效串联电容；
L1为动态等效串联电感；
R1为动态等效串联电阻，它是晶体内部摩擦性当量；
C0为静态电容，相当于两个电极板之间的电容量；

负载电容
负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：
其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容

CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片输出管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片输入管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。比如规格书上的负载电容值为18pF，则有：
18pF = 0.8pF+CD/2= 0.8 pF+CG/2
则CD=CG=34.4pF，计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF

频响特性曲线：

误差
输出信号的频率不可避免会有一定的偏差，我们用频率误差或频率稳定度，用单位ppm来表示，即百万分之一（parts permillion）（10^-6），是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高。
e.g. 1MHz晶体 20ppm， 即10^6 Hz x 20 x10 ^-6 =20Hz实际频率 999980~1000020Hz。

三、调节方式及观测

工作良好的振荡波形应该是一个漂亮的正弦波，峰峰值应该大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%，可适当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之，若峰峰值接近电源电压且振荡波形发生畸变，则可适当增加负载电容。

   负载电容和谐振频率之间的关系不是线性的，负载电容变小时，频率偏差量变大；负载电容提高时，频率偏差减小。下图是一个晶体的负载电容和频率的误差的关系图。

示波器观察：
1、示波器在观察振荡波形时，观察OSCO管脚(Oscillator output)，应选择100MHz带宽以上的示波器探头，这种探头的输入阻抗高，容抗小，对振荡波形相对影响小。（由于探头上一般存在10～20pF的电容，所以观测时，适当减小在OSCO管脚的电容可以获得更接近实际的振荡波形）；

2、用示波器检测OSCI(Oscillator input)管脚，容易导致振荡器停振，原因是：部分的探头阻抗小不可以直接测试，可以用串电容的方法来进行测试