晶体（一）：震荡电路与参数

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分类专栏： Oscilloscope 文章标签：晶体参数说明晶体负载电容计算晶体频偏与负载电容关系晶体与晶振区别

于 2020-09-05 22:28:06 首次发布

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一、晶振与晶体区别

晶振是有源晶振的简称，又叫振荡器，英文名称是 oscillator，内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号；
晶体是无源晶振的简称，也叫谐振器，英文名称是 crystal，是无极性元件，需要借助时钟电路才能产生振荡信号。

二、关键参数

标称频率（Normal Frequency）：单位是 $Hz$ ，这是晶体规格书中所指的频率，也是进行电路设计和元件选购时首先关注的参数；
频率误差（Frequency Tolerance at 25℃）：单位是 ppm（partsper million），即百万分之一（ $1/10^{6}$ ），是相对于标称频率的变化值，越小表明精度越高；例如：12MHz 晶振在25 ℃时，偏差为 ±20ppm，表示它的频率偏差为 $\pm 12M\times 20\times ×1/10^{6} Hz$ ，即频率范围是 $\pm 240Hz$ （11999760～12000240Hz）；
负载电容（Load Capacitance）（ $C_{L}$ ）：单位是 $pF$ ，这是与晶体元件一起决定负载谐振频率的电容。在设计晶体电路，选择晶体振荡电路所需的电容值时的依据；
寄生电容（Shunt Capacitance），又叫静态电容（ $C_{O}$ ）：单位是 $pF$ ，它的值决定于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺；
动态电容（ $C_{1}$ ）：单位是 $pF$ ，等效电路中动态臂里的电容，它的大小主要和电极面积、晶片平行度、微调量的大小有关；
动态电感（ $L_{1}$ ）：等效电路中动态臂里的电感，动态电感与动态电容是一对相关量；
品质因数（ $Q$ ）：品质因数又称机械Q值，是反映谐振器性能好坏的重要参数，它与 $L$ 和 $C$ 关系如下： $Q=\frac{\omega L}{C}=\frac{1}{\omega CR}$ ，可知，R 越大，Q 值越小，功率耗散越大，而且还会导致频率不稳定；反之 Q 值越高，频率越稳定。

三、参数计算

1、理论：

如下图所示， $C_{1}$ 为动态等效串联电容， $L_{1}$ 为动态等效串联电感， $R_{1}$ 为动态等效串联电阻， $C_{0}$ 为静态电容；

        电路的谐振频率（ $f_{r}$ ）也称为电路的固有频率。
        由于谐振时电路的感抗与容抗相等，即   $\omega L=\frac{1}{\omega C}$ ，可得谐振角频率 $\omega _{0}=\frac{1}{\sqrt{LC}}$ ，所以谐振频率   $f_{0}=\frac{1}{2\pi \omega }=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC} }=f_{r}$
        由上式可知，谐振频率 $f_{r}$ 只由电路本身固有的参数 $L$ 和 $C$ 所决定，此电路的频率特性曲线如下图所示：

        由频率特性曲线可以看出：
        当 $R_{1}$ 、 $L_{1}$ 、 $C_{1}$ 串联支路发生串联谐振，即频率为 $f_{r}$ 时，此时容抗与感抗相互抵消，该支路呈纯阻性，等效电阻为 $R_{1}$ ，谐振频率为 $f_{r}=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC} }$ ；这个频率是晶体的自然谐振频率，它在高稳晶振的设计中，是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数。

a）当   $f<f_{r}$ 时， $C_{0}$ 和 $C_{1}$ 电抗较大，起主导作用，晶体呈容性；
b）当   $f>f_{r}$ 时，L1、C1、R1支路呈感性，将与 $C_{0}$ 产生并联谐振，晶体又呈纯阻性，谐振频率 $f_{l}=\frac{1}{2\pi \sqrt{\frac{LCC_{0}}{C+C_{0}}}}$ = $f_{r}\sqrt{1+\frac{C}{C_{0}}}$ ，由于 $C<<C_{0}$ ，所以   $f_{l}\approx f_{r}$ ；

c）当   $f>f_{l}$ 时，电抗主要决定于 $C_{0}$ ，晶体又呈容性。

2、实际：

通常厂家的晶振元件数据手册给出的标称频率不是 $f_{r}$ 或 $f_{L}$ ，实际的晶体元件应用于振荡电路中时，它一般还会与负载电容相联接，共同作用使晶体工作于 $f_{r}$ 和 $f_{L}$ 之间的某个频率，这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定，通过改变电路的电抗条件，就可以在有限的范围内调节晶体频率。

当负载电容与晶体串联时，此时新的负载谐振频率如下式所示： $f^{'}_{r}=f_{r}*[1+\frac{C_{1}}{2(C_{0}+C_{l})}]$ ，其中 $C_{1}$ 远远小于 $C_{0}+C_{l}$ ；
当负载电容与晶体并联时，相应的负载谐振频率如下式所示： $f^{'}_{r}=\frac{1}{2\pi \sqrt{\frac{L_{1}C_{1}(C_{0}+C_{l})}{C_{1}+C_{0}+C_{l}}}}$ ；

从实际效果上看，对于给定的负载电容值， $f^{'}_{r}$ 与 $f^{'}_{l}$ 两个频率是相同的，这个频率是晶体绝大多数应用时所表现的实际频率，也是制造厂商为满足用户对产品符合标称频率要求的测试指标参数，也就是本文最开头介绍的晶振标称频率。

3、计算实例：

例如一12Mhz典型晶体震荡电路如下图所示：

选择的晶振如下图所示：

负载电容的计算公式如下所示：
$C_{L}=C_{s}+\frac{C_{D}*C_{G}}{C_{D}+C_{G}}$
其中：

$C_{s}$ 为晶体两个管脚间的寄生电容（Shunt Capacitance）；
$C_{D}$ 表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容 $C_{PCB}$ 、芯片管脚寄生电容 $C_{O}$ 、外加匹配电容 $C_{L2}$ ，即 $C_{D}=C_{PCB}+C_{O}+C_{L2}$ ；
$C_{G}$ 表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容 $C_{PCB}$ 、芯片管脚寄生电容 $C_{I}$ 、外加匹配电容 $C_{L1}$ ，即 $C_{G}=C_{PCB}+C_{I}+C_{L1}$ ；

一般 $C_{S}$ 为 $1pF$ 左右， $C_{O}$ 与 $C_{I}$ 一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册；
（手册上该晶体 $C_{s}$ = 7pF（max），一般而言 $C_{I}$ = $C_{O}$ = 5pF， $C_{PCB}$ = 4pF），

        按照规格书上的负载电容值 $C_{L}=20pF$ 、 $C_{S}=4pF$ 计算所需的 $C_{1}$ 、 $C_{2}$ ，则有
         $20pF=4pF+\frac{C_{D}}{2}=4pF+\frac{C_{G}}{2}$

        故 $C_{D}=C_{G}=32pF$ ， $C_{L1}=C_{L2}=C_{D}-C_{PCB}-C_{I}=32-4-5=23pF$ ；

        故可以得出上面的晶体震荡电路匹配电容 $C_{1}=C_{2}=22pF$ 。其他振荡电路可以根据公式计算得出。

4、频偏：

晶体负载电容与频率偏差的关系如下图所示

正偏：当电路中心频率正偏时，说明CL偏小；
解决办法：可以增加晶振外接电容Cd和Cg的值。
负偏：当电路中心频率负偏时，说明CL偏大；
解决办法：可以减少晶振外接电容Cd和Cg的值。

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晶体（一）：震荡电路与参数

表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容。表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容。一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册；，按照规格书上的负载电容值 20pF、故可以得出上面的晶体震荡电路匹配电容。其他振荡电路可以根据公式计算得出。= 4pF 计算所需的。
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