一、晶振与晶体区别
- 晶振是有源晶振的简称,又叫振荡器,英文名称是 oscillator,内部有时钟电路,只需供电便可产生振荡信号;
- 晶体是无源晶振的简称,也叫谐振器,英文名称是 crystal,是无极性元件,需要借助时钟电路才能产生振荡信号。
二、关键参数
- 标称频率(Normal Frequency):单位是
,这是晶体规格书中所指的频率,也是进行电路设计和元件选购时首先关注的参数;
- 频率误差(Frequency Tolerance at 25℃):单位是 ppm(partsper million),即百万分之一(
),是相对于标称频率的变化值,越小表明精度越高;例如:12MHz 晶振在25 ℃时,偏差为 ±20ppm,表示它的频率偏差为
,即频率范围是
(11999760~12000240Hz);
- 负载电容(Load Capacitance)(
):单位是
,这是与晶体元件一起决定负载谐振频率的电容。在设计晶体电路,选择晶体振荡电路所需的电容值时的依据;
- 寄生电容(Shunt Capacitance),又叫静态电容(
):单位是
,它的值决定于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺;
- 动态电容(
):单位是
,等效电路中动态臂里的电容,它的大小主要和电极面积、晶片平行度、微调量的大小有关;
- 动态电感(
):等效电路中动态臂里的电感,动态电感与动态电容是一对相关量;
- 品质因数(
):品质因数又称机械Q值,是反映谐振器性能好坏的重要参数,它与
和
关系如下:
,可知,R 越大,Q 值越小,功率耗散越大,而且还会导致频率不稳定;反之 Q 值越高,频率越稳定。
三、参数计算
1、理论:
如下图所示, 为动态等效串联电容,
为动态等效串联电感,
为动态等效串联电阻,
为静态电容;
电路的谐振频率()也称为电路的固有频率。
由于谐振时电路的感抗与容抗相等,即 ,可得谐振角频率
,所以谐振频率
由上式可知,谐振频率 只由电路本身固有的参数
和
所决定,此电路的频率特性曲线如下图所示:
由频率特性曲线可以看出:
当 、
、
串联支路发生串联谐振,即频率为
时,此时容抗与感抗相互抵消,该支路呈纯阻性,等效电阻为
,谐振频率为
;这个频率是晶体的自然谐振频率,它在高稳晶振的设计中,是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数。
a)当 时,
和
电抗较大,起主导作用,晶体呈容性;
b)当 时,L1、C1、R1支路呈感性,将与
产生并联谐振,晶体又呈纯阻性,谐振频率
=
, 由于
,所以
;
c)当 时,电抗主要决定于
,晶体又呈容性。
2、实际:
通常厂家的晶振元件数据手册给出的标称频率不是 或
,实际的晶体元件应用于振荡电路中时,它一般还会与负载电容相联接,共同作用使晶体工作于
和
之间的某个频率,这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定,通过改变电路的电抗条件,就可以在有限的范围内调节晶体频率。
- 当负载电容与晶体串联时,此时新的负载谐振频率如下式所示:
,其中
远远小于
;
- 当负载电容与晶体并联时,相应的负载谐振频率如下式所示:
;
从实际效果上看,对于给定的负载电容值, 与
两个频率是相同的, 这个频率是晶体绝大多数应用时所表现的实际频率,也是制造厂商为满足用户对产品符合标称频率要求的测试指标参数,也就是本文最开头介绍的晶振标称频率。
3、计算实例:
例如一12Mhz典型晶体震荡电路如下图所示:
选择的晶振如下图所示:
负载电容的计算公式如下所示:
其中:
为晶体两个管脚间的寄生电容(Shunt Capacitance);
表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容,包括PCB走线电容
、芯片管脚寄生电容
、外加匹配电容
,即
;
表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容,包括PCB走线电容
、芯片管脚寄生电容
、外加匹配电容
,即
;
一般 为
左右,
与
一般为几个皮法,具体可参考芯片或晶振的数据手册;
(手册上该晶体 = 7pF(max),一般而言
=
= 5pF,
= 4pF),
按照规格书上的负载电容值 、
计算所需的
、
,则有
故 ,
;
故可以得出上面的晶体震荡电路匹配电容 。其他振荡电路可以根据公式计算得出。
4、频偏:
晶体负载电容与频率偏差的关系如下图所示
- 正偏:当电路中心频率正偏时,说明CL偏小;
解决办法:可以增加晶振外接电容Cd和Cg的值。 - 负偏:当电路中心频率负偏时,说明CL偏大;
解决办法:可以减少晶振外接电容Cd和Cg的值。