PMOS 应用电路

用MOS做高侧开关时，PMOS比NMOS更便于控制：

1、不用额外的电荷泵升压；

2、只要将栅极拉低和置高就能控制通断。随着半导体工艺的进步，PMOS在导通内阻上的参数也逐渐好转，使得PMOS在电流不是特别大、对压降不是特别敏感的高侧开关场合，拓宽了应用。

PMOS防电源反接

上述两张图的电路可用于防电源反接，但不防电源倒灌，来分析这个电路：

1、电源从左侧正常输入时：

当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0.7），此时Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。

一般PMOS的G极导通阀值为-1~2V，而绝大多数的电源电压差都要超过这个值。故Vgs超出G极导通阀值，Q1完全导通。

随着Q1完全导通，Q1的DS两端的电位差被拉低到 （此时的导通内阻 x 流过的电流），这个值一般都很小，远小于0.7V，Q1的体二极管被短路关断，并且Q1持续导通。

之后VCC向负载正常供电。负载的电压取决于MOS的压降，压降为 MOS的导通内阻 x DS电流。较小的导通内阻可获得很低的压降、很低的发热、很高的负载效率。

因为MOS的导通内阻通常为几mΩ~几十mΩ，在几A的电流下压降仅仅0.0x ~ 0.xV，比肖特基二极管的0.3V更为高效。（并且二极管的压降并不是固定的，根据二极管的特性曲线得知，电流越大压降也会变得越大，所以现在的高效率电路都在用MOS来替代二极管，如DCDC的同步整流方案：省略了外部的二极管，降低了整体发热，提高了输出效率，提高了可输出电流，便于集成为单芯片转换器，减少了占地面积）

因为MOS的开通速度非常迅速，所以不用担心体二极管因电流过大造成损坏，器件的电流上升都有一个过程，而在过程刚开始的几ns，可能PMOS就已完全导通，体二极管之后就会被短路关断。

注意：图上的稳压管D1，是为了防止VCC>12V，造成MOS的G极损坏。分析电路时，可去掉稳压管来分析。

2、VCC和GND反接，电路保护：

因为Q1的体二极管反接，始终处于关断状态，即使负载为0Ω的通路，S极的电位也始终保持与G极相等，Q1始终处于关断状态。电路关断，起到电源反接保护的作用。

固态继电器电路（防倒灌，需要一个I/O额外控制开关）

通过增加一控制I/O，控制开通。并且能在主动关断时，防止倒灌。

如上这个电路，这个电路广泛使用在 电源管理、充电控制上。

这个电路好就好在它是个双向开关，而且可完全控制开通/关断，完全可以替代机械继电器来做固态继电器（前提是输入的信号电压不能太低，起码超出PMOS的G极导通电压范围）。

下面来分析原理：

CONTROL电平为高，电路开通，双向导通：

如CONTROL电平为高，则Q4 NMOS开通，Q2、Q3的G极电位均被拉低到0V。

Q2的体二极管率先导通，Q2的S极电平为VCC-0.7V，因为G极电平为0，所以满足开通条件，Q2完全导通。

而Q3此时的S极与Q2的S极相连，电位相同，均为VCC。并且G极电平为0，也满足开通条件，Q3也完全导通。之后VCC向负载正常供电。

反过来，如果VCC=0，而负载是电压源，也同样导通，只不换成了Q3的体二极管先导通，然后再轮到Q2。

CONTROL电平为低，电路完全关断：

CONTROL电平为低，Q2、Q3都会被关断，并且R2持续上拉，保持Vgs=0，两个PMOS全部处于完全关断状态。并且因为Q2、Q3的体二极管是反向串联的，所以无论从左还是从右侧，流经DS的电流只有反向漏电流，几乎是没有的。