半导体测试领域CP和KGD的区别

在半导体测试领域，KGD（Known Good Die）和 CP（Chip Probing 或 Chip Test）是两个重要的概念，它们分别代表了不同阶段的测试和验证过程。下面详细解释这两者的区别：

CP（Chip Probing 或 Chip Test）

1. 定义：

• CP 是指芯片在晶圆（wafer）上的初步测试，也称为晶圆级测试（Wafer-Level Testing）。
• 在这个阶段，每颗芯片（die）仍然附着在晶圆上，通过探针卡（probe card）接触芯片的焊盘（pads）进行电气测试。

2. 目的：

• 筛选不良品：识别出功能不良的芯片，避免将这些不良芯片进行后续的封装和测试，从而节省成本。
• 收集数据：收集芯片的电气特性数据，用于质量控制和工艺改进。

3. 测试内容：

• 基本功能测试：验证芯片的基本功能是否正常工作。
• 电气参数测试：测量芯片的关键电气参数，如电压、电流、时序等。
• 缺陷检测：检测芯片是否存在短路、开路等物理缺陷。

4. 结果：

• 测试结果通常记录在数据库中，标记每个芯片的状态（良品或不良品）。
• 良好的芯片会被标记为“通过”（Pass），不良的芯片会被标记为“失败”（Fail）。

KGD（Known Good Die）

1. 定义：

• KGD 是指经过全面测试并确认功能良好的裸芯片（die）。
• 这些芯片已经从晶圆上切割下来，并且可以单独使用或集成到多芯片模块（MCM）中。

2. 目的：

• 确保可靠性：确保每个芯片在独立使用或集成到多芯片模块中时都能正常工作。
• 提高系统性能：使用 KGD 可以提高多芯片模块的整体可靠性和性能。

3. 测试内容：

• 全面功能测试：除了基本功能测试外，还包括更详细的性能测试和可靠性测试。
• 环境测试：测试芯片在不同温度、湿度等环境条件下的表现。
• 寿命测试：评估芯片的长期稳定性和寿命。

4. 结果：

• 测试结果通常记录在数据库中，标记每个芯片的详细性能参数和测试结果。
• 只有通过所有测试的芯片才能被标记为 KGD。
  
  

区别总结

1. 测试阶段：

• CP：晶圆级测试，芯片仍附着在晶圆上。
• KGD：芯片级测试，芯片已从晶圆上切割下来。

2. 测试深度：

• CP：初步的功能和电气参数测试。
• KGD：全面的功能、性能和可靠性测试。

3. 测试目的：

• CP：筛选不良品，节省后续封装和测试成本。
• KGD：确保芯片在独立使用或集成到多芯片模块中时的可靠性和性能。

4. 结果标记：

• CP：标记芯片是否通过初步测试。
• KGD：标记芯片是否通过全面测试，确认为良好芯片。

通过这些测试步骤，半导体制造商可以确保最终产品的质量和可靠性。