第二讲、二极管基础

第一节、二极管组成

1、二级种类： 小功率二极管、大功率二极管、稳压二极管、发光二极管。

2、符号：

3、特点
a、点接触型：

~截面积小
~结允许的电流小
~结电容小
~最高工作频率高
b、面接触型：

~截面积大
~允许电流大
~结电容大
~最高工作频率低
c、平面型：

~截面积可小可大
~小的工作频率高
~大的结允许的工作频率大

第二节、二极管的伏安特性及电流方程

1、工作区划分：
a、

材料	开启电压
硅Si	0.5V~0.8V (0.7V)
锗Ge	0.1V~0.3V

        ~~~~~~~        当为加正向电压很低时，由于外电场还不能克服PN节内电场对多数载流子的扩散运动的阻力，故正向电流很小几乎为零。这一区域，称为死区。

        ~~~~~~~        外加正向电压超过死区电压时，内电场，大大削弱。正向电流迅速增大，二极管进入正向导通区，电压再继续增加时，电流迅速增大，二极管端电压几乎不变，此时二极管电压几乎不变，此时二极管端电压称为导通压降。

b、

材料	反向饱电流
硅Si	1uA以下
锗Ge	几十uA

        ~~~~~~~        在二极管端两端加反向电压时，将有很小的，由少子漂移运动形成的反向饱和电流（$Is$）通过二极管。
        ~~~~~~~        随温度的上升增长很快。
        ~~~~~~~        在反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定。

        ~~~~~~~        在外加反向电流超过反向击穿电压$U_{BR}$时，反向电流突然增大，二极管失去单向导通性，进入反向击穿区。
        ~~~~~~~        电击穿（可逆）：雪崩击穿（掺杂浓度低）、齐纳击穿（掺杂浓度高）。往往都是时进行的。
        ~~~~~~~        热击穿（不可逆）
2、二极管的电流方程
a、公式
$$i_D=I_s(e^{\frac{u_D}{U_T}}-1)$$
$I_s:$反向截止电流
$u_D:$端电压
$U_T:$温度电压当量$U_T=\frac{kT}{q}(v)(常温26mv)$
$$正向偏置：i_D=I_s{e}^{\frac{U_D}{U_T}}$$
$$反向偏置：i_D=I_s$$
b、伏安特性受温度影响

$T$升高，电压不变的情况下，电流升高，正向特性左移；反向饱和电流增大时，反向特性下移。
c、二极管的动态电压和静态电压

$R_D=\frac{V_D}{I_D}$