MOS: 金属-氧化物-半导体。
MOSFET: 金属-氧化物-半导体场效应三极管。
场效应管: 利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。
v G S : v_{GS}: vGS:栅源电压
v D S : v_{DS}: vDS:漏源电压
g g g:栅极
s s s:源极
d d d:漏极
1. N沟道增强型MOS管
电路符号
标准符号
简化符号
工作原理
栅源电压加足够大的正向电压,栅极和衬底之间就会形成足够大的电场强度,吸引P型衬底的电子导上半部分,沟通了漏极与源极。此时再在漏极和源极之间加电压 v D S v_{DS} vDS,将有漏极电流产生。
I-V特性曲线及特征方程
① 截止区:
v
G
S
v_{GS}
vGS小于
V
T
V_T
VT,电场强度过小,沟道无法建立。
饱和区:
v
G
S
≥
V
T
,
v
D
S
≥
v
G
S
−
V
T
v_{GS} ≥ V_T,v_{DS} ≥v_{GS} - V_{T}
vGS≥VT,vDS≥vGS−VT
② 可变电阻区:
v
G
S
≥
V
T
,
v
D
S
≤
v
G
S
−
V
T
i
D
随
v
D
S
v_{GS} ≥ V_T,v_{DS} ≤v_{GS} - V_{T} i_D随v_{DS}
vGS≥VT,vDS≤vGS−VTiD随vDS呈线性增长
r d s = 1 2 K n ( v G S − V T ) r_{ds} = \frac{1}{2K_n(v_{GS} - V_T)} rds=2Kn(vGS−VT)1
K n : K_n: Kn:电导系数。
③ 击穿区
夹断
①
v
D
S
=
v
G
S
−
V
T
v_{DS} = v_{GS} - V_{T}
vDS=vGS−VT
沟道在靠近漏极处开始消失,称为预夹断。
②
v
D
S
<
v
G
S
−
V
T
v_{DS} < v_{GS} - V_{T}
vDS<vGS−VT
MOS管工作在可变电阻区
③
v
D
S
≥
v
G
S
−
V
T
v_{DS} ≥ v_{GS} - V_{T}
vDS≥vGS−VT
MOS管工作在饱和区
转移特性
2. N沟道耗尽型
标准符号
简化符号
工作原理
3. P沟道增强型
标准符号
简化符号
4. P沟道耗尽型
标准符号
简化符号