MOS管

MOS： 金属-氧化物-半导体。
MOSFET： 金属-氧化物-半导体场效应三极管。
场效应管： 利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。

$v_{GS}：$栅源电压

$v_{DS}：$漏源电压

$g$：栅极

$s$：源极

$d$：漏极

1. N沟道增强型MOS管

电路符号

标准符号

简化符号

工作原理

栅源电压加足够大的正向电压，栅极和衬底之间就会形成足够大的电场强度，吸引P型衬底的电子导上半部分，沟通了漏极与源极。此时再在漏极和源极之间加电压$v_{DS}$，将有漏极电流产生。

I-V特性曲线及特征方程

① 截止区：
$v_{GS}$小于$V_T$，电场强度过小，沟道无法建立。
饱和区：
$v_{GS}\ge V_T，v_{DS}\ge v_{GS}-V_T$

② 可变电阻区：
$v_{GS}\ge V_T，v_{DS}\le v_{GS}-V_T{i}_D随v_{DS}$呈线性增长

$$r_{ds}=\frac{1}{2K_n(v_{GS}-V_T)}$$

$K_n：$电导系数。

③ 击穿区

夹断

① $v_{DS}=v_{GS}-V_T$
沟道在靠近漏极处开始消失，称为预夹断。

② $v_{DS}<v_{GS}-V_T$
MOS管工作在可变电阻区

③$v_{DS}\ge v_{GS}-V_T$
MOS管工作在饱和区

转移特性

2. N沟道耗尽型

标准符号

简化符号

工作原理

3. P沟道增强型

标准符号

简化符号

4. P沟道耗尽型

标准符号

简化符号