DDR4时序参数整理

tCK (Clock Cycle Time): 时钟周期时间，即两个连续时钟边沿之间的时间间隔。

tRCD (RAS to CAS Delay): 行选通到列选通的延迟时间，即发出行地址到发出列地址的时间间隔。

tCL (CAS Latency): CAS延迟时间，即从列选通到数据输出的延迟时间，MR0决定。

tRP (RAS Precharge Time): 行选通预充电时间，即行选通结束到下一次行选通开始之间的时间间隔。

tRAS (Active to Precharge Delay): 行选通到预充电的延迟时间，即行选通到下一次行选通开始之间的时间间隔。

tWR (Write Recovery Time): 写恢复时间，即写操作完成后到下一次读或写操作开始之间的时间间隔。

tRFC (Refresh Cycle Time): 刷新周期时间，即两个连续刷新操作之间的时间间隔。

tFAW (Four Activation Window): 四次行选通窗口时间，即在同一刷新周期内发出的行选通命令的最小时间间隔。

tRC (Row Cycle Time): 行周期时间，即两个连续行选通之间的时间间隔。

tCCD (CAS to CAS Delay): CAS到CAS延迟时间，即在同一行内切换列选通的时间间隔。

tRTP (Read to Precharge Delay): 读到预充电的延迟时间，即读操作完成到预充电开始之间的时间间隔。

tWTR (Write to Read Delay): 写到读延迟时间，即写操作完成到读操作开始之间的时间间隔。

Write Latency(WL) = AL（Addition Latency,MR1决定）+CWL(CAS Write Latency,MR2寄存器决定) + PL(Parity latency).

Read Latency(RL)= AL + CL (CAS Latency,MR0决定)