论MOS管开关对电源的影响

1. 前言

MOS管做为开关是一种常用的方式，在电路中比较常用的是一个三极管加一个MOS管，或者一个NMOS加一个PMOS。常用电路如图1图2所示。而我们今天来讨论的是基于图2电路引起的MOS关做开关对输入端电源的影响。

图1  三极管加MOS管形式开关电路

 

图2  NMOS加PMOS形式开关电路

 

2. 电路中遇到的问题及检测结果

在使用图2做电源开关时，检测电源的波形发现，在开关导通的过程中对电源的输入端有一个电源下拉的现象。其使用环境为，输入电压为DC5V，输出DC5V，开关控制为LVTTL电平（3.3V）。其检测的情况如下所示。

2.1 MOS管缓冲电容对电源开关的影响

1. 当没有添加缓冲电容（图中C305，C302，C304，C303）的时候，其对电源下拉到4.2V以下。其检测波形如图3所示；
2. 当只添加前端缓冲电容（C302，C305）时其电源下拉情况明显改善，电源下拉到4.5V左右，其检测波形如图4所示；
3. 当只添加后端缓冲电容(C303，C304)时，其电源下拉情况也得到明显的改善，电源下拉到4.7V左右，其波形如图5所示；
4. 当前后端缓冲电容（C305，C302，C304，C303）都加上时，其电源下拉情况和只添加后端电容时，区别不大。

 

图3  不加缓冲电容时的电源测试波形

 

图4加前端缓冲电容时的电源测试波形

图5  只加后端缓冲电容时的电源测试波形

 

2.2 MOS管缓冲电阻对电源开关的影响

这里的缓冲电阻我只测试了后端MOS管的缓冲电阻（R112）对电源开通时的影响。其测试条件为图2种有后端缓冲电容的情况。

1. 当缓冲电阻（R112）为1K时，其后端电压上升时间为2.2ms，下拉影响在4.7V左右，波形上有明显的下拉迹象，波形如所示；
2. 当缓冲电阻（R112）为12K时，其后端电压上升时间为19ms，下拉影响在4.8V左右，波形上没有有明显的下拉迹象，波形如所示；

图6  缓冲电阻为1K时电源检测波形

 

图7  缓冲电阻为12K时电源检测波形

3. 问题原理分析

3.1 测试结果推论

从第2节遇到的问题与处理检测结果来看，MOS管做开关时对电源有一个固有的下拉现象，但可以通过控制MOS管的缓冲电阻、电容来改变MOS管的开通时间，从而控制电源下拉的幅度以及波形的平缓程度。

3.2 资料查询分析

查询PMOS管的手册（IRF9310的datasheet），找到一个MOS管的开关时间的波形图，可以支撑上面的推论。其图如下所示。

图8  MOS管开关时间测试电路与波形

 

其开关波形过程分析如下所示：   

1. 当还没发下拉脉冲时，VGS=0，VDS=-VDD，此时MOS管关断；
2. 当发送下拉脉冲时，VGS逐渐减小，VDS逐渐增加，此时MOS管开通，稳定时，VGS<0，VDS=0(PMOS的导通条件是VGS<0)；

我认为MOS管做开关时，对电源下拉就是这个VDS上升与VGS下降造成的，，而下拉幅度就是满值到VDS与VGS的交叉点。

而在一个固定的电路中，最初与最终的VGS、VDS值是固定了的，我们能改变的就是Td(on)与Tr值（即我们可以通过外面的缓冲电阻与电容调节开关的导通时间）。当Td(on)与Tr值增大后，VGS与VDS的交叉点就相应往上抬了，则开通时对电源的下拉幅度就会小一些。

4. 电路推荐

用MOS管做开关时，对电源的下拉是必然有，但我们可以调节其下拉的幅度，因此电路中建议预留处缓冲电容与电压的位置（根据自己需要保留其一个或者全留）。

此外一些商家也做了一些专用的负载开关，比如TI的TPS22975，其外围电路简单，且内部对性能有处理，其对电源的下拉幅度比较小，可以推荐使用。其简单电路图如图9所示，其手册开通的电源的影响如图10所示。

从图10可以看出，专用芯片的开通关断对电源也有影响，只是影响很小。我用实际电路检测时，下拉幅度也在4.9V以内（对5V电源进行开通）。

图9  TPS22975的简单电路

 

图10  TPS22975的开通关断情况