Cubmx+HAL库+ADC采样光敏二极管（STM32F407ZGT6）

目录

1.光敏二极管

1.1光敏二极管的理论基础部分

1.1.1光敏二极管的简介

1.1.2光敏二极管的原理

1.1.3光敏二极管的主要参数

1.1.4光敏二极管的伏安特性曲线分析

1.1.5光电二极管的硬件分析

1.2cubmx的配置

1.2.1引脚配置

1.3HAL库代码配置

1.3.1ADC的代码配置

1.3.2printf的重定向

1.3.3光敏二极管的ADC采样

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1.光敏二极管

1.1光敏二极管的理论基础部分

1.1.1光敏二极管的简介

• 光敏二极管也称为光电二极管，作为一种红外线接收管，是一种光能与电能进行转换的器件。

• 光电传感器的基本原理都是将被测量的变换转换成光信号变化，然后借助光电元件将光信号转换成电信号。

• 共管芯是一个具有光敏特征的PN结，因此存在单向导电性

• 照度一定时，光电二极管可等效为恒流源

1.1.2光敏二极管的原理

        PN结加反向电压时，反向电流的大小取决于P区和N区中少数载流子的浓度，无光照时P区中少数载流子（电子）和N区中的少数载流子（空穴）都很少，因此反向电流很小。但是当光照射PN结时，只要光子能量hv大于材料的禁带宽度，就会在PN结及其附近产生光生电子空穴对，从而使P区和N区少数载流子浓度大大增加，它们在外加反向电压和PN结内电场作用下定向运动，分别在两个方向上渡越P结，使反向电流明显增大。如果入射光的照度改变，光生电子一空穴对的浓度将相应变动，通过外电路的光电流强度也会随之变动，光敏二极管就把光信号转换成了电信号。

1.1.3光敏二极管的主要参数

• 暗电流：是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。

• 光电流L：是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。

• 正向压降VF：是指光致二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。

1.1.4光敏二极管的伏安特性曲线分析

• 光敏二极管的工作方式为加反向电压或不加电压两种状态给其加反向偏压时，管子中的反向电流将随光照强度的改变而改变。光照强度越大，反向电流也就越大。

• 特性曲线第一象限：外加正向电压时，电流与端电压成指数关系

• 特性曲线第三象限：特性曲线是一组横轴的平行线。