半导体二极管

将PN结用外壳封装起来，并加上电极就构成了半导体二极管，作用像是电流的单项门。

P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。

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与PN结的区别

正向偏置时，由于存在半导体体电阻和引线电阻，使半导体二极管正向电流比PN 结小，正向压降比PN结大。

反向偏置时，二极管表面存在漏电流，因此二极管反向电流比PN 结反向电流大。

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伏安特性

正向特性

1.开始时，使二极管刚开始导通的电压称为二极管的开启电压（死区电压），与材料和温度有关。一般硅管0.5v左右，锗管0.1v左右。

2.正向电流增长较慢，

3.电流迅速增大阶段，

反向特性

1.反向饱和电流

2.反向击穿陡直-稳压

环温对二极管伏安特性影响，正向左移，反向下移

二极管主要参数

最大反向工作电压VBR/VR指二极管安全工作时所能承受的最大反向电压

导通电压VF

平均正向工作电流IF：超过此值会使芯管发热，有损坏风险。

高频的时候，要考虑二极管的最高工作频率，超过之后单向导电性变差（电容？二极管的电容是相当于并联的吗 ）

二极管等效模型

理想模型：开关

恒压降模型

折线化模型

小信号模型（用在哪里？）

二极管基本应用电路

1.整流电路 半波整流电路

2.限幅电路 

3.开关电路

稳压二极管：反向电流控制在一定程度，击穿特性陡直，几乎平行于纵轴，稳压特性好

使用方法：要让他工作在稳压区，即工作电流大于Izmin，小于Izmax

主要参数有稳定电压，稳定电流，额定功耗，动态电阻，温度系数α（正负零）

稳压管的温度系数取决于其稳定电压和温度的变化。稳压值低于4V的稳压管属于齐纳击穿，温度系数是负的；而高于7V的稳压管属于雪崩击穿，温度系数是正的。温度升高时，耗尽层减小，耗尽层中，原子的价电子上升到较高的能量，较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿，因此它的温度系数是负的。而雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。