Built-in self-test (BiST) 内置自检

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专栏 《深入理解DDR

前言

内置自检 (BIST) 是一种结构测试方法,它向 IC 添加逻辑,允许 IC 定期测试自己的操作。

BIST是一种DFT(Design for Testability)技术,它可以应用于几乎所有电路.BIST技术的快速发展很大的原因是由于居高不下的ATE成本和电路的高复杂度。BIST技术可以通过实现自我测试从而减少对ATE的需求。BIST技术也可以解决很多电路无法直接测试的问题,因为他们没有直接的外部引脚,比如嵌入式内存。

BIST两种主要类型是 memory(内存) BIST 和 Logic(逻辑)BIST。

  • Memory bist 测试存储器电路
  • Logic Bist测试随机逻辑电路。

MBIST

Basic Memory Model

在这里插入图片描述
图: Mbist 模型

Memory BIST (或称为 MBIST) 为内存生成data pattern,通过输入不同组数值测试sram存储器,读取它们以记录任何缺陷,需要将自检的硬件逻辑加到rtl里面。

存储器电路模型:地址译码器、读写控制逻辑、存储单元阵列内存 BIST 还包括修复和冗余功能。在这项技术中,每个芯片都有备用电路。如果电路坏了,就会断开有缺陷的电路,用好的电路替换。内存 BIST 还用于获取 2.5D/3D 设备的良好内存堆栈。

MBIST Algorithms

参考[1]

存储器通过特殊算法进行测试,可以检测存储器中发生的故障。许多不同的算法可用于测试 RAM 和 ROM。下面描述的是用于测试存储器的两种最重要的算法。这些算法可以用最少的测试步骤和测试时间检测内存中的多个故障。
Checkerboard Algorithm
March Algorithm

MBIST 挑战

面临的挑战,从以下几个方面来探讨:

对于Memory Vendor来说, 在新工艺下,memory可能会有新的失效机制,如何设计有效的MBIST 算法是一项重要的研究课题。

从EDA角度看,目前业界工具对常规memory (SRAM, ROM, Register File等)的支持已相对成熟。芯片公司对EDA 提供针对特殊类型的memory (如TCAM, DRAM )的测试方案的需求正日渐迫切。

从芯片实现的角度看,设计者需要考虑如何使得MBIST逻辑对芯片PPA的影响最小。对于使用带Redundacy Memory的design来说,要考虑自修复(self-repair),也会增加设计和验证的难度。

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原文链接:https://blog.csdn.net/qaunmhh/article/details/125259798

LBIST

LBIST通常用于测试随机逻辑电路,一般采用一个伪随机测试图形生成器来产生输入测试图形,应用于器件内部机制;而采用多输入寄存器(MISR)作为获得输出信号产生器。

Logic BIST 或 LBIST 使用 Pseudo-Random Pattern Generator 生成应用于内部扫描链的 input pattern。结果将压缩为签名。然后,Multi-Input Signature Register 确定签名是否正确,以判断是否通过了所有测试。

LBIST 最常用于安全关键和高可靠性应用,例如汽车。但是,LBIST 需要一个非常干净的设计,没有未知状态,因为这会破坏操作。这意味着更严格的设计和测试规则,并且 LBIST 的插入比扫描更复杂。LBIST 在时序、面积和功耗方面也会产生大量开销。

参考

1https://blog.csdn.net/wangyijieonline/article/details/134372805
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