下一代内存 Known Good Die（KGD）良品裸晶粒测试

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专栏 《深入理解DDR》

转载自
下一代 KGD 内存测试实现了超过 3GHz/6Gbps 的晶圆级速度

Known Good Die 含义

中文将 Known Good Die 翻译为「良品裸晶粒」，在业界常与 KGD Dram、KGD Die 等名词交互使用。

KGD（Known Good Die）是指通过裸晶粒测试，并被确认为无缺陷和优质的晶粒。

KGD 的完整定义是指：经过重重检测，已确认具有与封装后产品同等之质量水平、可靠程度，并符合指定功能、规格标准的裸晶粒或未经封装的芯片。半导体厂商采用 KGD 颗粒后，再与自家产品封装成单一芯片，进行最终测试，最后出货给需要的业者。

KGD 与一般晶体管最大的不同点在于，KGD 属于未封装的裸晶粒，故能因应系统级封装 （SiP）、多芯片封装 （MCP） 需求，与其他种类的裸晶堆栈使用，进行异质性整合；意即在同一封装中将芯片做 3D 立体堆栈，或者进行 2.5D 配置封装，将逻辑芯片、内存、射频组件等不同性质的电子零件整合，实现系统级之高效能、低功耗、高集成度，同时维持成品的精巧体积。

图片来源： chipletsummit, 文献[2]
图中，KGD 是在单片 Wafer 上， 称为 KGD CP测试。测试判断为good die 的 wafer 会进行切割成一颗颗Die，然后和其他Die 进行3D 堆叠。最后做 Stack test, 这一步称为 KGS CP 测试。

为什么先进封装要 KGD 测试？

– 更高的复杂性 更低的产量 – 更高的复杂性  更高的包装成本 – 更早的缺陷检测有助于节省包装成本

KGD 测试需求
– 探针卡速度要求从 1.6GHz 到 >3GHz
– 温度范围从 -40 ~ 125C 到 -40 ~ 150C
– 测试效率满足大批量生产

图： 速率与宽温发展
来源： swtest， 文献[1]

图： 信号质量仿真与实测
来源： swtest， 文献[1]

达到最高的 DUT 并行度和速度要求 （>3GHz），提供宽温度范围

参考

1	Next Generation KGD Memory Test AchievedWafer Level Speed Beyond 3GHz/6Gbps
2	https://chipletsummit.com/proceeding_files/a0q5f0000044zma/20240206_PreConD_Zorian.PDF

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