[SSD NAND 8.4] NAND Flash 失效之 Read Disturb | 闪存读干扰 | 读读读，还能把数据读坏了，天啊?

 传送门  >>>  总目录

Vt Distribution Widen and Shift Right: Read Disturb 

图片来源：知乎，文献[6]

全文  3400 字， 主要内容

形成原因

    NAND Read 原理回顾

    读干扰产生的原因

读干扰的影响

    读干扰对电压阈值分布影响

    读干扰对RBER影响

    Edge WL

    读指定WL的影响

如何减少读干扰的影响

---

本篇目标是了解NAND Read Disturb, 以记影响的表现是什么。目标是对异常的电压阈值分别，能初步排查是否 Read Disturb, 进一步提供方案解决读干扰影响。

---

Flash 失效分类

Flash失效按照不同的分类方式可以分为浮栅失效和结构失效。浮栅失效类似于MOS管的一般失效类型，与Flash的存储机理相关。由于Flash工作过程中F-N效应和热电子效应反复发生，会导致氧化层击穿和陷阱，引起高漏电流。结构失效可以理解为误码[4]。