2SK2689-01MR_05-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2SK2689-01MR_05-VB MOSFET 产品简介

2SK2689-01MR_05-VB 是一款由VBsemi制造的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件适用于高功率应用，具有较低的漏源电压（VDS 30V）和高电流承载能力（ID 68A）。采用槽沟道结构（Trench）技术，具有极低的导通电阻，适合要求高功率、低损耗的电路设计。

### 2SK2689-01MR_05-VB 详细参数说明

- **型号**: 2SK2689-01MR_05-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 4.5V, 1mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 68A
- **技术**: 槽沟道结构（Trench）

### 适用领域和模块举例

1. **电源模块（Power Modules）**:
   2SK2689-01MR_05-VB 可以用于高功率电源模块中，作为开关元件，帮助控制电源输出。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高功率电源模块设计的理想选择。

2. **电机驱动（Motor Drives）**:
   在电机驱动中，这款MOSFET 可以用于控制电机的启停和转速调节。其高电流承载能力和低导通电阻使其在电机驱动应用中表现优异。

3. **汽车电子（Automotive Electronics）**:
   2SK2689-01MR_05-VB 适用于汽车电子中的功率控制和管理电路。其高功率特性和稳定性使其在汽车电子应用中表现优异。

4. **工业自动化（Industrial Automation）**:
   在工业自动化设备中，这款MOSFET 可以用于控制和调节设备中的电源和信号。其高可靠性和稳定性使其在工业自动化应用中表现优异。

以上是2SK2689-01MR_05-VB 在高功率应用中的典型应用场景。其特性使其成为多种高功率电路设计中的理想选择，能够满足对功率、效率和可靠性要求较高的应用需求。