1600Mbps DDR3 高速信号仿真和PCB设计

            摘要:Memory部分的设计在系统设计中占有重要的地位,目前Memory速度被一再提升,DDR3的速度已经高达1600Mbps,数据脉冲宽度只有625ps,对信号的质量和时序都提出了更高的要求,同时也增加PCB设计需要考量的参数。

        Memory部分的电路板设计在系统设计中占有重要的地位,目前Memory速度被一再提升,DDR3的速度已经高达1600Mbps,数据脉冲宽度只有625ps,对信号的质量和时序都提出了更高的要求,同时也增加PCB设计需要考量的参数。

线路板设计参数

       该线路板设计采用Memory Down结构一共4片SDRAM,设计速率1600Mbps,设计的走线阻抗控制,线宽线距以及等长要求可以由SI仿真评估确定。(3.5mil/3.5mil制板时需要进行阻抗控制)

1.等长分组处理

         DDR设计采用分组等长的策略,分组可以更好的控制时序要求,简化pcb layout难度,在pcb布线允许的情况下,也常常采用一起走做等长的处理方法,结果是一致的。

 (信号锁存与时钟线匹配不是很严格)

2.SI仿真需要的DC,AC及时序参数

       下图展示的DDR3 SDRAM在SI仿真处理中所需要的部门时序参数,DDR3部门的时序分析涉及参数较多,在高速度下,可以用于时序余量计算的时间余量很有限,所以每个参数都要慎重考虑。

*由ns级降为ps级

3.时序计算参考

       DDR3在满足信号质量的前提下,还必须满足时序要求。DDR3采用的是源同步系统,在工作时必须保证(DQ, DQS, Clock)、(Address/Command,Clock)、(Control,Clock)之间的时序关系,DDR3的时序余量分析是前期设计中很重要的一部分。

        Memory高速电路板设计速度较高,客户在所有的信号线上都添加了终结匹配电阻,由于板子区域有限,匹配电阻无法放到有效地区域(靠近驱动端),而且大大的增长了PCB布线的长度,0.4mm BGA管脚间距的PCB设计和生产加工难度很大。通过SI仿真评估,建议客户拿掉DQ[31:0]上的所有匹配电阻,Wrtie时使用DDR3的odt功能做信号匹配,Read时通过调节DDR3的输出阻抗,做到自匹配,从而不仅有效的解决了线路板布线的难度,走线变短,同时也提升了整体信号的质量。

客户反馈

        目前此板 PCB设计、PCB制板、器件采购、PCBA贴片一次性成功。

优化建议

        在SDRAM的clock pin处添加终结电阻,改善Clock的信号质量。

SI仿真展示

1.pcb layout布局图

 

2. address Group eyes

3.Control Group eyes

4.DQ Write eyes

5. DQ Read eyes

6.DQS Write eyes

7.DQS Read eyes

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