（原创）CMOS门电路的功耗

CMOS门电路的功耗:
动态功耗：1。电容转换产生的功耗。
              2。转换期间从Vdd到Gnd流过的短路电流引起的短路功耗
              3。输出波形中短时脉冲波形干扰引起的功耗。
静态功耗：1。由泄漏电流（亚阀值电流和源/漏结反偏电流）引起。
              2。由直流电流（eg：低输出的伪NMOS电路）引起。
亚阀值电流（Isub）：VT降低，Isub值将增大，但VDD-VT控制晶体管能起作用的驱动能力，保持VT则降低了器件的

性能，过去几年，在每一代工艺中VT一直保持相对稳定，降低VDD，但由于源和漏紧密接近，亚阀值泄漏已经明显增大。

功耗和延迟是相互矛盾的，衡量标准PDP(功耗-延迟积) EDP（能量-延迟积）EDP=PDP*t

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