聊聊芯片中的静态功耗（Leakage Power）

一、静态功耗概念

静态功耗又叫泄漏功耗（Leakage Power），它是指电路在等待或者没有翻转情况下的功耗。Static Power与CMOS的各种泄漏电流有关，主要包括：反偏二极管的泄漏电流，门栅感应漏极泄漏电流、亚阈值泄漏电流、门栅泄漏电流（下图对应文档）。

静态功耗的概念非常重要，某种意义上它与MOS管本身的结构有关，受温度等外界温度的影响。它与频率无关，所以不能通过降频的方式降低静态功耗，同时Static Power与温度成指数关系，在温度较高时，Static Power会变得非常大。Leakage Power可以从lib/db中得到，跟input pin的状态有关。

二、静态功耗计算 

在90nm之前，leakage power在lib/db里被描述成一个常值的。但从90nm开始，为了更加精确，lib/db里的leakage power不再是个常值了，而是被模拟成一个输入状态的函数。在一个lib/db里跟leakage相关的变量大致有：

library(xxxxx) {

    leakage_power_unit :"1nW";

    default_leakage_power_density :0.0;

    default_cell_leakage_power :0.0;

    cell_leakage_power :53057.365200; 

    leakage_power(){

    when :"!A & !B & !C