在1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电後不会丢失)，其记录速度也非常快。
　　Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术，并拥有一个SRAM接口。
　　第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。
　　 ·闪存的市场现状分析
　　目前的闪存市场仍属于群雄争霸的末成熟时期。三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。
　　由于战略上的一些错误，Intel在第一次让出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。
　　AMD闪存业务部门Spansion同时生产NAND和NOR闪存。它上半年的NOR闪存产量几乎与Intel持平，成为NOR闪存的最大制造商。该公司在上半年赢利为13亿美元，几乎是它整个公司利润额(25亿美元)的一半以上。
　　总体而言，Intel和AMD在上半年成绩喜人，但三星和日立却遭受挫折。
　　据市场调研公司iSuppli所做的估计，今年全球的闪存收益将达到166亿美元，比2003年(116.4亿美元)上涨46%。消息者对数码相机、USB sticks和压缩式MP3播放器内存的需求将极大推动闪存的销售。据预测，2005年闪存的销售额将达到175亿美元。不过，iSuppli估计，2005年至2008年闪存的利润增涨将有所回落，最高将达224亿美元。
　　 ·新的替代品是否可能？
　　与许多寿命短小的信息技术相比，闪存以其16年的发展历程，充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初，闪存才初入市场；至2000年，利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任，彼得曾说：“就闪存的生命周期而言，我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信，闪存的销售仍具有上升空间，并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌在今年初宣布，其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米制造工艺，每月制造超过10,000片晶圆。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
　　此外，Intel技术与制造集团副总载Stefan Lai认为，在2008年之前，闪存将不可替代。2006年，Intel将首先采用65纳米技术；到2008年，目前正在研发的新一代45纳米技术将有望投放市场。Stefan Lai觉得，目前的预测仍然比较浅显，或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但Stefan Lai也承认，2008年至2010年，新的技术可能会取而代之。
　　尽管对闪存替代品的讨论越来越激励，闪存仍然受到市场的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器，而且在速度和写周期上略胜一筹。此外，生产成本也应该相对低廉。由于现在制造技术还不成熟，新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。下面就让我们来认识一下几种可能的替代产品：
　　 ·Nanocrystals(纳米晶体)
　　摩托罗拉的半导体部门Freescale正在研制一种增加闪存生命周期的产品。这种产品以硅纳米晶体(Silicon Nanocrystals)为介质，用硅原子栅格代替了半导体内部的固态层。纳米晶体不是一个全新的存储技术。它只是对闪存的一种改进，使它更易扩展。它的生产成本可以比原来低大约10-15%，生产过程更加简单。它的性能与可靠性都能够与目前的闪存相媲美。
　　摩托罗拉花了十年时间研发这种技术，并打算大规模生产此类产品。去年六月，该公司已经成功地使用此技术推出了一款此类芯片。硅纳米晶体芯片预计会在2006年全面投放市场。
　　→更多相关内容请参见纳米晶体
　　 ·MRAM(Magnetic RAM磁荷随机存储器)
　　MRAM磁荷随机存储器是由英飞凌与Freescale两家公司研发的一种利用磁荷来储存数据的存介质。MRAM的写次数很高，访问速度也比闪存大大增强。根据计算，写MRAM芯片上1bit的时间要比写闪存的时间短一百万倍。
　　 ·磁荷随机存储器
　　两家公司都认为，MRAM不仅将是闪存的理想替代品，也是DRAM与SRAM的强有力竞争者。今年六月，英飞凌已将自己的第一款产品投放市场。与此同时，Freescale也正在加紧研发，力争在明年推出4M bit芯片。
　　但是，一些评论者担心MRAM是否能达到闪存存储单元的尺寸。根据英飞凌的报告，目前闪存存储单元的尺寸为0.1µm²，而16M bit MRAM芯片仅达到1.42 µm²。另外，MRAM的生产成本也是个不小的问题。
　　更多相关内容请参见磁荷随机存储器。
　　 ·OUM(Ovonic Unified Memory Ovonyx标准化内存)
　　　OUM是由Intel研发的，利用Ge、Sb与Te等化合物为材料制成的薄膜。OUM。OUM的写、删除和读的功能与CD-RW与DVD-RW相似。但CD/DVD使用激光来加热和改变称为硫系化合物(chalcogenides)的材料；而OUM则通过电晶体控制电源，使其产生相变方式来储存资料。
　　OUM的擦写次数为10的12次方，100次数据访问时间平均为200纳秒。OUM的速度比闪存要快。尽管OUM比MRAM的数据访问时间要慢，但是低廉的成本却是OUM的致胜法宝。
　　与MRAM不同，OUM的发展仍处于初期。尽管已制成测试芯片，它们仅仅能用来确认概念而不是说明该技术的可行性。Intel在过去四年一直致力于OUM的研发，并正在努力扩大该市场。
　　更多相关内容请参见OUM 。
　　 闪存在使用过程中的一些问题
　　读写闪存时，是否可以运行其它应用程序？
　　可以。
　　闪存可擦写多少次？闪存里的数据能保存多久？
　　闪存可擦写1,000,000次，闪存里数据可保存10年
　　一台电脑可同时接几个闪存？
　　理论上一台电脑可同时接127个闪存，但由于驱动器英文字母的排序原因， 以及现有的驱动器需占用几个英文字母，故闪存盘最多只可以接23个（除开 A、B、C）， 且需要USB HUB的协助。
　　闪存在DOS状态下能否使用
　　闪存支持WINDOWS虚拟DOS方式（启动Windows后在附件中进入）。支持启动功能的优盘在通过闪存盘成功启动电脑的状态下，能够以DOS命令方式操作。
　　WINDOWS NT4.0下闪存盘如何使用？
　　不能。因为WINDOWS NT4.0操作系统不支持USB设备，而闪存盘是基于USB的设备。
　　闪存可以在什么驱动程序下使用？
　　A9 Windows98、Windows ME、Windows 2000、Windows XP、MAC OS、Linux.
　　闪存是否需要驱动程序？
　　在Mac OS 、Windows 2000以上版本上不需要，在Win 98上需要驱动程序
　　闪存可以在Windows 98 / Windows 2000 / Mac OS下被格式化吗？
　　可以。
　　闪存的内容能否加密？
　　可以。
　　闪存在局域网里是否可以共享？
　　可以。
　　闪存可以存储哪些类型的数据？
　　所有电脑数据都可以存储，包括文件、程序、图象、音乐、多媒体等。
　　安装闪存时是否需要关闭电脑？
　　不需要，闪存是即插即用型产品，可以进行插拔。
　　闪存可以防水吗？
　　闪存是电子类产品，掉入水中后可能会造成闪存盘内部短路而损坏。
　　插拔闪存时，有哪些注意事项
　　当闪存盘指示灯快闪时，即电脑在读写闪存盘状态下，不要拔下闪存；当插入闪存后，最好不要立即拔出。特别是不要反复快速插拔，因为操作系统需要一定的反应时间，中间的间隔最好在5秒以上。
　　闪存是否会感染病毒？
　　闪存像所有硬盘一样可能感染病毒
　　闪存用于桌面电脑时，并且USB接口在电脑的后面时，有什么办法使之更方便？
　　通过一条USB转接电缆（具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle）与电脑连接
　　闪存上的文件出现乱码或文件打不开
　　使用闪存专用工具做格式化
　　双击闪存盘盘符时，电脑提示闪存盘需格式化
　　当闪存分区表遭到破坏或是闪存性能不稳定时，会出现上述现象。出现这种问题，一般可以使用闪存专用工具做格式化
　　闪存写保护不起作用，在写保护关锁状态，数据也能够顺利写入。
　　切换闪存写保护开关，需要在断开与电脑的联接的状态下进行。如果是在与电脑联接状态下切换了写保护开关，需要重新插拔一次闪存，才能切实使切换起作用。
　　 ·总结
　　除了上文提到的MRAM和OUM，其它可替代的产品还有MRAM (FeRAM)、 Polymer memory (PFRAM)、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM (CBRAM)、 Organic RAM (ORAM)以及最近的Nanotube RAM (NRAM)。目前替代闪存的产品有许多，但是哪条路能够成功，以及何时成功仍然值得怀疑。