Corner的分类

Corner可以分为对晶体管的偏差建模的PVT corner，以及对互联线偏差建模的RC Corner。

PVT Corner用于描述晶体管的全局工艺偏差。RC Corner 用于描述互联线工艺偏差。

PVT corner

PVT corner需要覆盖全局工艺偏差，温度偏差以及电压偏差。

process corner

Lot 与 Lot 之间, Wafer Wafer之间, Die 和 Die之间的工艺的偏差都是全局工艺偏差。全局工艺偏差的差别远大于局部工艺偏差的影响（local process variation）。由于全局工艺偏差的存在，导致CMOS的速度有的快，有的慢。从而导致芯片有快有慢。

Process corner被用于对全局工艺偏差进行建模。

由于全局工艺偏差对CMOS中NMOS， PMOS的影响有所不同，因此按照晶体管的速度，可以分为以下五种process corner：

• TT：Nominal

• SS：Slow N Slow P

• FF：Fast N Fast P

• SF：Slow N Fast P

• FS：Fast N Slow P

其中常用于