本文介绍了芯片设计中的Corner概念，包括PVT Corner（process, voltage, temperature）和RC Corner。PVT Corner关注晶体管的全局工艺偏差，如TT、SS、FF、SF、FS等不同情况，用于描述速度变化。电压和温度Corner确保芯片在电压范围和温度变化下正常工作。RC Corner则针对互联线和via的电阻电容偏差。时序签收会结合不同电压、温度范围及RC条件进行验证。"
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Corner可以分为对晶体管的偏差建模的PVT corner，以及对互联线偏差建模的RC Corner。
PVT Corner用于描述晶体管的全局工艺偏差。RC Corner 用于描述互联线工艺偏差。
PVT corner
PVT corner需要覆盖全局工艺偏差，温度偏差以及电压偏差。
process corner
Lot 与 Lot 之间, Wafer Wafer之间, Die 和 Die之间的工艺的偏差都是全局工艺偏差。全局工艺偏差的差别远大于局部工艺偏差的影响（local process variation）。由于全局工艺偏差的存在，导致CMOS的速度有的快，有的慢。从而导致芯片有快有慢。
Process corner被用于对全局工艺偏差进行建模。
由于全局工艺偏差对CMOS中NMOS， PMOS的影响有所不同，因此按照晶体管的速度，可以分为以下五种process corner：
TT：Nominal
SS：Slow N Slow P
FF：Fast N Fast P
SF：Slow N Fast P
FS：Fast N Slow P
其中常用于
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