MOS管的主要参数说明

这里描述的是NMOS、PMOS

CMOS用途不一样 这里不讨论

1.Gate-Source Threshold Voltage - Vgs(th)(min) and Vgs(th)(max):

Gate级电压在Vgs(th)(min)以下时MOSFET关闭

Gate级电压在Vgs(th)(max)以上时MOSFET开启

Gate级电压在Vgs(th)(min)和Vgs(th)(max)之间时MOSFET的状态不确定，因此应该要避免Gate级电压处于这个区间

2.Drain-Source ON Resistance - Rds(on):

MOS管打开后ds之间会有内阻即Rds(on)，其值随着Vgs的攀升而降低

在选择MOS时应选择在理想的逻辑高电压附近Rds(on)值最小的，并且该值不会再随着Vgs增加出现大幅降低的

3.noise factor(NF)：

电子元器件都具有固有噪声，也即因其本身而发生的噪声

器件在低频段工作时的固有噪声，其值与工作频率呈现反比例关系，叫做1/f噪声，当到达一个叫做1/f Corner点后，其固有噪声表现为BroadBand Noise

NF表示电子元器件低频噪声系数，单位为分贝，是在低频范围内测出的噪声系数，这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

以下为ADA4622-2电压噪声频谱图