这里描述的是NMOS、PMOS
CMOS用途不一样 这里不讨论
1.Gate-Source Threshold Voltage - Vgs(th)(min) and Vgs(th)(max):
Gate级电压在Vgs(th)(min)以下时MOSFET关闭
Gate级电压在Vgs(th)(max)以上时MOSFET开启
Gate级电压在Vgs(th)(min)和Vgs(th)(max)之间时MOSFET的状态不确定,因此应该要避免Gate级电压处于这个区间
2.Drain-Source ON Resistance - Rds(on):
MOS管打开后ds之间会有内阻即Rds(on),其值随着Vgs的攀升而降低
在选择MOS时应选择在理想的逻辑高电压附近Rds(on)值最小的,并且该值不会再随着Vgs增加出现大幅降低的
3.noise factor(NF):
电子元器件都具有固有噪声,也即因其本身而发生的噪声
器件在低频段工作时的固有噪声,其值与工作频率呈现反比例关系,叫做1/f噪声,当到达一个叫做1/f Corner点后,其固有噪声表现为BroadBand Noise
NF表示电子元器件低频噪声系数,单位为分贝,是在低频范围内测出的噪声系数,这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小
以下为ADA4622-2电压噪声频谱图