关于减小沟道长度调制为什么要提高L长度减弱的原因

最新推荐文章于 2025-01-09 15:58:08 发布
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分类专栏： 模拟MOS专栏 文章标签： CMOS
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在CMOS晶体管设计中，为了减小沟道调制作用，通常会通过增加栅长来进行设计，而伴随而来的是晶体管体积的增大，所以选择合适的栅长和栅宽也有一定的讲究，下面就针对提高栅长对沟道长度调制作用的影响进行分析：
（此部分内容为拉扎维CMOS模拟集成电路新版22页）
在这里插入图片描述

【模集片面知识点】
m0_56997192的博客
04-30 1005
减小沟道长度调制效应的方法，可以增大L，这个影响力度是怎样的呢，由于。，增大L对ro的影响是线性的吗，此时需要考虑。成反比，L的增大会使。
【模拟CMOS集成电路设计】第二章 器件
m0_56997192的博客
04-23 1490
当Vgs比较小时，衬底中的电子会被吸入氧化层下与空穴复合，直到氧化层下的大部分空穴都被负荷，形成负离子区，以镜像栅上的电荷，即耗尽层，当再增大Vgs时，即使全部的空穴都被复合完，即是纯负离子区，仍不能与栅极电荷镜像，故氧化层下就会形成一层电子层，即反型层形成。Vb下降，Vb变得更负，将有更多的空穴被吸引到衬底电极，而同时留下大量的负电荷，耗尽层变得更宽，在反型层形成之前，栅极电荷必定镜像Qd（耗尽层负电荷），故阈值电压是耗尽层电荷总数的函数，所有Vb下降，Qd增加，，沟道长度调制系数，表示给定的。
沟道长度调制效应与短沟道效应
粉色挖掘机的博客
05-12 2万+
沟道长度调制效应，短沟道效应，MOS晶体管在饱和与非饱和区的行为，亚域状态
[技术讨论]对场效应管制造工艺参数的简单认识
ic2121的博客
11-03 3317
由于cascode用了两个MOS管，所以实际消耗的沟道长度L=0.63*2=1.26um，但是相比constant current电路沟道的20um的长度，整整缩小了快9倍，想想在一个负复杂的芯片系统，节约1um*1um的面积，不仅是成本的降低，也是性能的提升。选择一个MOS管，更多关注的是Vgs，Vds，ID，Ciss，Coss等之类的常规参数。这个阻抗和厄尔利电压有关，如果没有厄尔利电压的影响的话，输出转移特性图在饱和区是不会上翘的，这个ro是可以忽略的，但是这是理想情况，实际半导体生产是不可避免的。
参数等效模型可以用于_MOS器件参数的含义
weixin_39571749的博客
12-12 1129
MOS器件模型分为器件物理模型和等效电路模型两种。器件物理模型主要依赖器件的几何形状、掺杂分布、载流子输运方程（半导体方程）以及材料特性等预测器件各端的输出特性和输运状态。这类模型大多用于器件物理研究和设计，因为对于现代MOS VLSI，由于其尺寸很小对这些器件的半导体方程只能采用数值方法来进行二维或者三维求解，利用它可以详细了解器件工作的内在物理特性，而且这种模型不适用于电路模拟。等效电路模型的...
沟道长度调制效应：MOSFET的深入理解与控制方法
实验章节讨论了沟道长度调制效应的测量技术及数据分析，并探讨了沟道长度调制效应对MOSFET设计参数优化和高频特性的影响。此外，文章还探讨了沟道长度调制效应的控制方法，并对当前的研究热点和未来发展趋势进行了...
模拟集成CMOS考试题借鉴.pdf
12-09
3. 沟道长度调制：VDS增大时，实际反型沟道长度减小，导致阈值电压随漏源电压变化。 4. 等效跨导Gm2：定义为电路的输入电压变化对应输出电流变化的能力。 5. 米勒定理：电路变换后，阻抗Z1和Z2与原始阻抗Z的关系。...
模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路
zbp_12138的博客
06-26 5434
金属- 氧化物- 半导体（MOS ）场效应三极管 MOSFET 基本共源极放大电路 图解分析法 小信号模型分析法 共漏极和共栅极放大电路 1. 金属- 氧化物- 半导体（MOS ）场效应三极管场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件,并且是一种三段器件,所以有时候也称为场效应三极管 在一块掺杂浓度较低的P型半导体基片上的两个区域掺入高浓度的五价杂质元素,形成两个杂质浓度很高的N型区域,然后再在P型硅表面生成一层很薄的二氧化硅绝缘层,再在中间二氧化硅以及两个N型区上面分别安置三个铝电极.
【学习记录】半导体物理与器件
wdjkdbndxdhw的博客
10-06 1643
基于Neaman的《半导体物理与器件》，总结了pn结、pn结二极管、金属-半导体结、半导体异质结、MOSFET、BJT、JFET、半导体光器件的结构、原理、特性等内容。基本覆盖了整本书比较重要的部分，但是忽略了所有的公式推导部分。
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10-10
1. **短沟道效应**：随着沟道长度的减小，栅极对沟道的控制能力减弱，导致阈值电压降低和亚阈值斜率增大。 2. **热载流子效应**：高场强和高功耗会导致载流子加速到足够高的能量水平，可能损坏器件并影响其可靠性。 ...
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01-09 1700
介绍MOS器件的两个重要效应：衬底偏置效应和沟长调制效应
【模拟】沟道长度调制效应为什么添加1+ΔvDS有关的项
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在公式 (4.17) 中，通道长度LLL位于分母。当vDSv_{DS}vDS​增大时，耗尽区扩展导致有效通道长度LeffLeff​减小，从而分母的值变小，漏极电流iDi_DiD​轻微增加。这种现象被称为“沟道长度调制”，是实际MOSFET器件中漏极电流对vDSv_{DS}vDS​的小幅依赖的原因。当vDSv_{DS}vDS​增加超过vDSATv_{DSAT}vDSAT​。
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采用偏离晶体主轴法,模拟硅晶体表面存在10Å自然氧化层，注入能量为35keV，分析偏离角分别为0度、1度、2度、7度和10度时注入离子在Si晶体中的分布特点和规律。 go athena # Tilt angle dependence using SVDP model line x loc = 0.0 spac=0.1 line x loc = 1.0 spac=0.1 line y loc =...
MOS管的几种效应
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<br />1 沟道长度调制效应（channel length modulation） MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应<br />2 漏极导致势垒下降（drain induced barrier lowering） 当在MOS管的漏极加电压时，漏极和衬底构成的pn结，漏极一侧会出现正电荷堆积，相应
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好久不用三极管，工作区域的判定都忘记了，下面总结一下。 三极管的三个工作区也即三个状态 1、截止（发射结和集电结均反偏），且Vc>Ve>Vb(Vce=电源电压VCC) 2、饱和（发射结集电结均正偏）,且Vb>Vc>Ve（Vce=0.1~0.3V） 3、放大(发射结正偏集电极反偏)，且Vce介于1和2之间。 三极管的发射结加正向电压（锗管约为0.3V，硅管约为0.7），集电极加反向
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