MOSFET的基本结构及工作原理
VGS > VT, VDS > 0:电子向高电位的漏极运动,产生漏极电流。对于恒定的VDS,VGS越大,沟道中的电子就越多,沟道电阻就越小,漏极电流就越大。
Trench和Channel都是半导体制造中常用的术语。它们的区别如下:
Trench(沟槽)是在半导体晶圆表面上刻出的一个深度较大的线性凹槽。Trench可以用来制作电容、电阻、电感和硅基太阳能电池等器件。在Trench制造过程中,通常需要使用刻蚀和填充等复杂的工艺步骤。
Channel(沟道)是在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中用来控制电流的区域。Channel通常是在半导体晶圆表面形成的一个狭窄的区域,用来限制电流的流动。MOSFET的导电性能取决于Channel的宽度和长度,因此在制造MOSFET时需要控制Channel的形状和尺寸。
总的来说,Trench和Channel都是半导体制造中重要的概念,但它们的应用和作用不同。Trench主要用于制造器件,而Channel则是用来控制电流的区域。
曲线特性
转移特性曲线
ID-VGS
输出特性曲线
ID-VDS