MOSFET的基本概念

最新推荐文章于 2025-01-17 09:50:09 发布
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分类专栏： 半导体器件基础 文章标签： 学习
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MOSFET的基本结构及工作原理

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VGS > VT, VDS > 0：电子向高电位的漏极运动，产生漏极电流。对于恒定的VDS，VGS越大，沟道中的电子就越多，沟道电阻就越小，漏极电流就越大。

Trench和Channel都是半导体制造中常用的术语。它们的区别如下：

Trench（沟槽）是在半导体晶圆表面上刻出的一个深度较大的线性凹槽。Trench可以用来制作电容、电阻、电感和硅基太阳能电池等器件。在Trench制造过程中，通常需要使用刻蚀和填充等复杂的工艺步骤。

Channel（沟道）是在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中用来控制电流的区域。Channel通常是在半导体晶圆表面形成的一个狭窄的区域，用来限制电流的流动。MOSFET的导电性能取决于Channel的宽度和长度，因此在制造MOSFET时需要控制Channel的形状和尺寸。

总的来说，Trench和Channel都是半导体制造中重要的概念，但它们的应用和作用不同。Trench主要用于制造器件，而Channel则是用来控制电流的区域。

曲线特性

转移特性曲线

ID-VGS
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输出特性曲线

ID-VDS
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