本文介绍了半导体的基本知识，包括本征半导体的导电性、空穴概念及其移动，以及载流子的产生与复合。进一步讨论了掺杂半导体，区分了N型和P型半导体的区别。此外，文章详细阐述了PN结的形成、单向导电性、反向击穿现象以及电容效应，解释了PN结在半导体器件中的关键作用。
半导体基本知识
本征半导体
1. 半导体的导电性
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体有硅(Si)和锗(Ge)以及砷化镓(GaAs)等。
本征半导体是一种完全纯净、结构完整的半导体晶体
在室温（300K）下，当被束缚的价电子获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键束缚成为自由电子时（本征激发），半导体便具备了一定的导电能力。
但与良导体相比，本征硅晶体内自由电子数量较少，因而其导电性能远不及导体。
2. 空穴
空穴就是价电子挣脱束缚成为自由电子后，共价键中留下的空位.
因为空穴表示共价键中失去了一个带负电荷的电子，所以认为其带有与电子电荷等量的正电荷。
空穴也可以移动，它实际上反映了受束缚的价电子的移动，只是移动方向与价电子移动方向相反。</
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