PVT的理解和以及它们在后仿/功耗仿真中的注意点

PVT(process, voltage, temperature)是影响集成电路性能的主要因素。

P是指芯片制造过程中的工艺偏差，在不同晶体管/晶片/批次之间，NMOS或PMOS的驱动能力（有时也理解为电流大小或载流子迁移率）都会发生变化，用slow/fast/typical分别表示晶体管驱动能力弱/强/一般，则所有逻辑门的性能就可以限制在(ss,ff,sf,fs,tt)5个工艺角内。

V是指芯片的供电电压，一般来讲，电压越大，晶体管电流越大，芯片速度越快。

T是芯片的工作温度，温度对芯片性能的影响比较复杂，一般认为温度越高，硅晶格振动加剧，载流子迁移率降低，晶体管饱和电流减小，芯片变慢。但是，这一理论只适用于非先进工艺，先进工艺中，晶体管阈值电压VT和电源电压都很低，使得
VT对逻辑门延时的影响越发重要，而vt会随着温度的降低会增大，因此在温度降低到某一程度时，vt对delay的影响变得足够大，使得逻辑门延时随着温度的降低而增大，这一现象称为温度反转。

在foundry给的标准单元库文件名后半部分，可以看出这个库对应的PVT信息，如ffg1p1v125c，表示ffg corner，电压为1.1V，温度为125℃。综合/后端过程中要根据需要选择适当的库文件。

从上面的叙述可以看到，PVT的组合可能会有很多种，仿真/综合时很难全部cover，所以一般会选择逻辑门延时一般/最小/最大三种情况进行后仿，在后端过程中，会针对这三种情况分别产生对应的sdf(TYP/MIN/MAX)用于反标到网表中进行后仿。

在功耗仿真中，也需要根据所需的工艺角/电压/温度，读入相应的库文件进行仿真。