芯片生产测试中的CP wafer单片测试时间和UPH预估

本文介绍了半导体生产测试中CPwafer的测试时间与UPH(每小时产量)估算方法。提供了两种单片测试时间计算公式,考虑了touchdown次数、边沿系数、回收系数等因素。此外,还详细列举了测试过程中的额外时间,如上下片、清针、异常处理等。预估UPH时需结合实际测试时间的平均值。本文对于半导体测试工程师来说具有参考价值。

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@[TOC]生产测试中的CP wafer的单片测试时间计算以及UPH

在半导体生产链的CP测试过程中,当工程师确认了一个touchdown的测试时间,如何预估一片wafer的测试时间和UPH等信息呢?
如下我们搜集 了4个deivce :
在这里插入图片描述
1.单片wafer纯测试时间计算公式1 ((Totaldies/Sites+2xSQRT(Totaldies/p)x0.5)x1.2+index)x touchdownTime
1)Totaldies/Sites为理想情况所有DUT扎所有die时,1片wafer的touchdown次数
2)2xSQRT(Totaldies/p) 为一片wafer理想情况的行数 (p为圆周率pai)
3)边沿系数:2xSQRT(Totaldies/p)x0.5为prober走步经过wafer边沿,预计2行会多出一个touchdown(默认DUT以2行N列排列);此系数会受DUT排列,site数量,Die总数 所影响;此处只能给一个预估值;site数多比如32,
建议改为0.5->0.3
4)回收系数:最后x1.2为回收系数,良率越好回收系数越小,良率越差回收系数越大,同时site数越大回收系数越小。实际建议结合情况来给
90%良率以上回收系数建议选择1.1
所以单片测试时间为所有touchdown次数x每个touchdown的测试时间得来

2.单片wafer纯测试时间计算公式2

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