芯片生产测试中的CP wafer单片测试时间和UPH预估

@[TOC]生产测试中的CP wafer的单片测试时间计算以及UPH

在半导体生产链的CP测试过程中，当工程师确认了一个touchdown的测试时间，如何预估一片wafer的测试时间和UPH等信息呢？
如下我们搜集 了4个deivce ：

1.单片wafer纯测试时间计算公式1 ((Totaldies/Sites+2xSQRT(Totaldies/p)x0.5)x1.2+index)x touchdownTime
1）Totaldies/Sites为理想情况所有DUT扎所有die时，1片wafer的touchdown次数
2）2xSQRT(Totaldies/p） 为一片wafer理想情况的行数 （p为圆周率pai）
3）边沿系数：2xSQRT(Totaldies/p）x0.5为prober走步经过wafer边沿，预计2行会多出一个touchdown(默认DUT以2行N列排列)；此系数会受DUT排列，site数量，Die总数 所影响；此处只能给一个预估值；site数多比如32，
建议改为0.5->0.3
4）回收系数：最后x1.2为回收系数，良率越好回收系数越小，良率越差回收系数越大，同时site数越大回收系数越小。实际建议结合情况来给
90%良率以上回收系数建议选择1.1
所以单片测试时间为所有touchdown次数x每个touchdown的测试时间得来

2.单片wafer纯测试时间计算公式2
((Totaldies/Sites)x1.1x1.2+index)xtouchdownTime :边沿系数默认为1.1，回收系数默认为1.2 。 为了方便计算，通过给个大概的比例来计算（需要合理给出比例系数）。
3.测试外单片测试消耗时间:
常温上下片简单扫片3Min（换片过程中的扫片通常都是设置的比较简单的扫片方式，更换lot或者deivce文件，第一次扫片可能时间较长一些）+测试过程中的清针（1次40s），异常报警(2次0.5分钟)，针痕自检无异常情况下5个区域最长2min；总计7分钟以内；
人工换LOT 1min，做首件针痕记录和QA首件5~10分钟
约：7x60+600/25=444s

注意：实际的测试时间和UPH当使用实际Log或sunmmary中搜集到的测试时间求均值；此处的计算只用于来参考和预估；

例如log中显示的
Test Start Date : Wed Sep 09 06:45:12 2020
Test End Date : Wed Sep 09 07:35:08 2020

本文只是根据经验表述，不妨有其他人的其他计算方法和有较小差异的说法；