Silvaco TCAD仿真5——process simulation（Athena）

使用的设计流程：

Athena和process结合： 

run-card（里面有很多process flow）和layout GDS文件 结合，会产生结构文件。

现在的TCAD的基本是3D的。也可以做2D。

process flow simulation的目标：

process flow table或 run-card input定义步骤，在该步骤中产生设备结构的3D图像。

在有run-card的情况下，使用2D的procession，

在deckbuild中运行Athena

Linux版本

Linux terminal> deckbuild&
go athena
.
.
.
quit

windows版本：（我用的是windows版本） 

在桌面上点击 S.EDA Tools 图标来打开程序的快捷方式文件夹 ，直接双击 DeckBuild 图标。

在界面输入

go athena
.
.
.
quit

Athena写程序步骤

1、Initial geometry

• Simulation grid
• Initial substrate

2、save and load

• Save the status of the simulation structure
• Load save file to continue the process simulation

3、Process steps

• Deposition           Ion implantation
• Etching                Diffusion
• Photo process     Epitaxial

4、Electrode

• electrodes defined

5、Result Analysis

• Extract
• tonyplot
   

1、Initial geometry——Simulation grid

• Simulation grid
• Initial substrate 

go athena
//x只定义了一半0-0.6。完整的是0-1.2
line x loc=0.00 spac=0.05
line x loc=0.1 spac=0.02
line x loc=0.35 spac=0.01
line x loc=0.6 spac=0.1

line y loc=0.00 spac=0.002
line y loc=10 spac=1

 note：

atlas和Athena定义网格 的区别：

atlas定义网格是

x.mesh loc=0.1         spac=0.02
y.mesh loc=-0.3        spac=0.05

atlas要定义全部的mesh 

 athena定义网格是

line x loc=0.1         spac=0.02
line y loc=-0.3        spac=0.05
//这里的line是定义垂直的线

 Athena的mesh只需要定义silicon的

Athena对称性结构只需做一半，例如mos结构，但是atlas需要定义完整的

 比如，一个对称性的结构

atlas需要定义0-1.2完整的结构，Athens只需要定义一半就可以

如下图所示：（左边是atlas结果，右边是Athena结果） 

Athena可以先做一半，在最后，把另一半弄出来。

为什么Athena这么做：为了节省模拟时间  

1、Initial geometry——Initial substrate

• Simulation grid
• Initial substrate

材料的初始条件是什么 

2、save and load

• Save the status of the simulation structure
• Load save file to continue the process simulation

存储：structure 

 load文件：init infile

3、Process steps——deposition

• Deposition           Ion implantation
• Etching                Diffusion
• Photo process     Epitaxial

沉积 

deposit <material> thick=<um> div=<n>
//div是格子数

deposit oxide thick=0.5 div=5

沉积示意图： 

3、Process steps——Etching   

• Deposition           Ion implantation
• Etching                Diffusion
• Photo process     Epitaxial

刻蚀 

etch <material> all //把材料全部刻蚀掉
etch <material>  left  p1.=<x position>//把材料左边的某个位置刻蚀掉
etch <material>  right p1.x=<x position>//把材料右边的某个位置刻蚀掉
etch <material>  above p1.y=<y position>
etch <material>  below p1.y=<y position>

//对于p1，在一开始定义mesh location的时候，就要定义p1
//一定要在定义mesh的时候，把后面要刻蚀的位置定义出来，否则，刻蚀不准确


//刻蚀任意形状
//最少三个点构成一个形状，start是开始的点，cont是continue，done是结束点
etch <material>  start x=<x> y=<y>
    etch cont x=<x> y=<y>
    etch cont x=<x> y=<y>
        .
        .
    etch done x=<x> y=<y>

//把材料干刻蚀
etch <material> dry thick=<um>

刻蚀任意形状示例： 

点多的时候，要按照一定的顺序，不要交叉 

刻蚀示例： 

above上研磨，below基板研磨 

干刻蚀，可以均匀刻蚀多少厚度

3、Process steps——Photo process 

• Deposition           Ion implantation
• Etching                Diffusion
• Photo process     Epitaxial

3D刻蚀GDS的layout 

Photo process 可以使用Deposit 和 etch 两个步骤加起来应用

notice, deposit material

 光阻有厚度（implant可能有shadowing）

 大角度使用PR（光阻）会挡不住，可以替换成barrier

implant <impurity> dose=<ion/cm2> energy=<Kev> tilt=<degrees> rotation=<degrees>

implant是盘子的状态，tilt 0°是垂直打 ,rotation是盘子转

Notice, default tilt=7 rotation=30 

如果只写前面没有写后面的tilt和rotation，会自动默认为default模式。

 diffusion扩散

diffus time=<min> temp=<C> <ambient> //时间，温度，气体
diffus time=<min> temp=<C> t.final=<C> <ambient> //升温降温 气体

//气体流量，不了解，炉管的配方是foundry厂的秘密，要有自己的判断
Diffusion

Notice:

Nitrogen（升温降温） 

ambient:DryO2/Wet2/Nitrogen/
Gasflow:H2.H2O,HCI,N2,O2 I/min
 

复杂的炉管，可能会升温两次 。最少写六条diffusion

epitaxial外延 

epitaxy time=<min> temp=<C> thickness=<um> div=<n> c.<impurity>=<atom/cm3>

        

       

4、Electrode

• electrodes defined

electrode name=<name*> x=<x position> y=<y position>//电极的位置
electrode name=<name*> backside

atlas认识的电极名称： 

*drain, source, bulk,substrate,emitter, collector, base, anode,cathode, well, nwell, pwell,channel ground, nsource, psource, ndrain,pdrain, vdd,vss, vee, vbbvcc

5、Result Analysis

• Extract
• tonyplot

Notice: extract  command please referto deckbuild manual 

 参考：

積體電路工程課程 (Silvaco TCAD - ATLAS)