Silvaco TCAD仿真学习Lesson2——Athena仿真

哈喽爱吾瑞巴蒂！今天来和大家分享习经验之使用工艺仿真Process Simulation来设计器件~~会涉及到many Silvaco的技巧喔。emm关于在做好的器件上做性能分析，下次在分享吧，内容有点多多

Athena工艺仿真的操作流程

1. 几何初始化 initial geometry
   仿真网格、基底初始化
2. 保存与加载 save & load
   保存仿真结构、载入仿真结构并进行工艺仿真
3. 工艺步骤 Process Simulation
   沉积deposition、离子注入ion implantation、蚀刻etching、扩散diffusing、
   Photo process、外延层生长Epitaxial
4. 电极 Electrode
   电极定义 electrode define
5. 结果分析 Result Analysis
   参数萃取 extract、图像显示Tony Plot

在做工艺仿真前，打开DeckBild,要设置一下，保存工艺过程中每一步的结果，这样的话，就可以查看每一个工艺所产生的结构图，非常利于初学者！！！操作方法是：Edit -> Preference -> History Settings 勾选Athena前的enable，并将length值设置为999，应用确认就可以了。
今天的案例是用Athena做工艺仿真，生成器件，这真的狠狠狠吃器件物理的功底唉。就以解读代码的方式，一起学习吧~废话不多说，直接上代码：
go athena #就是执行Athena编辑器呗
#接下来和上章一样，先画网格，不过为了和atlas区分，把关键词mesh改成line哦，画网格必须的两步：画网线切割、材料初始化。为了减少工艺时间，对称器件只需要做一半，然后通过对称操作补全另一半即可！~

#几何初始化 画横线
line x loc=0.0 spac=0.05
line x loc=0.1 spac=0.02
line x loc=0.35 spac=0.01
line x loc=0.6 spac=0.1
#画竖线
line y loc=0.0 spac=0.002
line y loc=10 spac=1
#网格材料Si初始化、掺杂硼原子初始化、晶向100、2D
init silicon c.boron=1.0e17 orientation=100 two.d #history001

#以上完成了几何初始化操作
#下面在这个几何结构上做一系列的工艺操作，从而制作出nMOS

#sacrificial "cleaning"oxide 制作氧化层做保护层
diffus time=20 temp=1000 dryo2 #扩散干氧 #history002

#vt adjust 电压调节 implant 注入硼
implant boron dose=1e11 energy=30 tilt=0 rotation=0 #history003

strip oxide #把oxide 全部吃掉 #history004

#gate oxide grown here:做栅极氧化增长：
diffus time=10 temp=945 dryo2 #氧化 #history005

#Extract a design parameter #萃取器件参数
extract name=“gateox” thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.05 #萃取栅极氧化层厚度

depo poly thick=0.2 divi=10 #沉积生长多晶硅 #history006

#from now on the situation is 2-D #开始以二维操作
etch poly left p1.x=0.35 #吃掉0.35以左的多晶硅 #history007

diffuse time=3 temp=900 weto2 #湿氧氧化 #history008

implant phosphor dose=2e14 energy=11 tilt=0 rotation=0 #注入磷原子 #history009

depo oxide thick=0.120 divisions=8 #沉积氧化层 #history010

etch oxide dry thick=0.120 #干蚀刻 氧化层 #history011

implant arsenic dose=4.0e15 energy=28 tilt=0 rotation=0 #注入砷原子 #history012

diffuse time=1 temp=900 inert #注入惰性物 #history013

#pattern s/d contact metal 漏源极
etch oxide left p1.x=0.1 #吃掉x=0.1以左的氧化层 #history014
etch oxide start x=0.357 y=-0.15 #吃掉一个矩形,把栅极多晶硅上面的氧化层吃掉
etch cont x=0.6 y=-0.15
etch cont x=0.6 y=-0.3
etch done x=0.357 y=-0.3 #history015
#上面四行代码从start 到 done 是一条语句，蚀刻掉了（0.357,-0.15）->(0.6,-0.15)->(0.6,-0.3)->(0.357,-0.3)区域内的氧化层。

deposit alumin thick=0.1 div=20 #沉积铝 #history016
etch alumin start x=0.35 y=0.1 #吃掉一个矩形区域的铝
etch cont x=0.1 y=0.1
etch cont x=0.1 y=-0.4
etch done x=0.35 y=-0.4 #history017
#上面四行代码从start 到 done 是一条语句，蚀刻掉了（0.35,0.1）->(0.1,0.1)->(0.1,-0.4)->(0.35,0.4)区域内的铝。

#以上时工艺操作，下面是结果分析之萃取，查看器件特性

#Extract design parameters
#extract final S/D Xj
extract name=“nxj” xj silicon mat.occno=1 x.val=0.1 junc.occno=1

#extract the N++ regions sheet resistance
extract name=“n++ sheet rho” sheet.res material=“Silicon” mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1

#extract the sheet rho under the spacer,of the LDD region
extract name=“ldd sheet rho” sheet.res material=“Silicon”
mat.occno=1 x.val=0.3 region.occno=1

#extract the surface conc under the channel.
extract name=“chan surf conc” surf.conc impurity=“Net Doping”
material=“Silicon” mat.occno=1 x.val=0.45

#extract a curve of conductance versus bias.
extract start material=“Polysilicon” mat.occno=1
bias=0.0 bias.step=0.2 bias.stop=2 x.val=0.45
extract done name=“sheet cond v bias”
curve(bias,1dn.conduct material=“Silicon” mat.occno=1 region.occno=1)
outfile=“extract.dat”

#extract the long chan Vt
extract name=“n1dvt” 1dvt ntype vb=0.0 qss=1e10 x.val=0.49

#以上萃取语句不需要刻意记忆，可以用Dialog生成。方法与上一章的器件模拟方法不同，工艺仿真方式中的方法是：commands->syntax dialogs ->extract diags->process extract.

#以上时萃取物理特性，下面是镜像和电极定义

structure mirror right #镜像对称
structure outfile=mirror.str #保存镜像结构，完整的nMOS

electrode name=gate x=0.5 y=-0.2 #history018
electrode name=source x=0.05 y=0 #history019
electrode name=drain x=1.15 y=0 #history020
electrode name=substrate backside #history021

structure outfile=nMOS_athena.str #工艺仿真器件制作完成，保存
quit

至此，已经通过工艺仿真，制备出了nMOS,此后可以在这个器件上进行一系列物理特性分析。
源代码呈上：

go athena
#
line x loc=0.0 spac=0.05
line x loc=0.1 spac=0.02
line x loc=0.35 spac=0.01
line x loc=0.6