TDA4VH高速路线指南和接口设计概要

没有水杯和雨伞的工科男

已于 2024-06-23 15:21:06 修改

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于 2024-06-23 15:19:27 首次发布

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TDA4VH 高速链路设计指南阅读及考虑

0、说明

本人目前做相关域控制器相关内容，目前正在研究TDA4的开发，目前正在对高速电路的的相关设计进行考虑，下面对TI官方提供的高速电路的设计的开发文档进行学习和分享:

1、高速系统架构介绍及PCB阻抗连续性方法介绍

1.1 TDA的高速系统

TDA可以使用总计16路serdes信号，用于PCIE、USB、SGMII、DP等。在我的应用中，我主要使用了PCIE、SGMII，本文将主要介绍这两种总线的走线方式

1.2 高速接口设计指南

高速的协议决定了差分信号：同时满足单端和差分布线的阻抗要求
紧耦合的差分布线不好。宽度限制将很大的影响阻抗的变化的，生产困难。建议使用松散耦合
- 松散耦合 PCB 差分信号使阻抗控制变得更加容易。布线越宽，间距越大，避开障碍物就越容易（因为每条布线相
  对于另一条布线的位置不够固定），并且布线宽度变化不会对阻抗产生太大影响，因此更容易在信号长度上保持
  精确的阻抗。对于较长的布线，较宽的布线还会减轻趋肤效应，通常能够实现更佳的信号完整性，眼图张开度更
  大
差分信号长度匹配，TX 和 RX 不需要等长，是不用做的。内部需要做等长的话，需要在差不匹配的地方附近
信号参考平面：建议信号层的上下完整实心的地参考平面上，不要经过分割点：
- • 不平衡的电流流动产生过多的辐射发射
  • 由于串联电感增加，信号传播出现延迟
  • 干扰相邻信号
  • 信号完整性降低（即更多抖动和信号幅度降低）
- 例子如下：
  - 不穿过空心区
  - 必须穿，经过1uF或者更低的电容作为耦合平面回路
  - PCB规划时，互不参考的平面应当不产生不要的寄生电容：
  - 增加地过孔作为我不同地平面的参考中转：
  - TI不建议：电源平面作为高速参考平面，否则最好使用交流耦合电容和接地过孔实现返回路径。
- 差分走线的距离建议：
  - 5W原则，遇到时钟或者其他周期信号需要有至少50mil的隔离：
- checklist
  - • 请勿在任何高速差分信号上放置探头或测试点。
    • 请勿在晶体、振荡器、时钟信号发生器、开关电源稳压器、安装孔、磁性器件或使用/复制时钟信号的 IC 下方
    或附近布置高速布线。
    • BGA 破孔后，使高速差分信号远离 SoC，其原因为内部状态变换时产生的高电流瞬变难以滤除。
    • 如有可能，在 PCB 的顶层或底层（与接地层相邻）布置高速差分对信号。 TI 不建议对高速差分信号进行带状
    线布线。（或建议在设计中对所有高速串行器/解串器信号进行带状线布线。这可以提供更好的受控阻抗。此
    外，通过在接地平面之间布置引线，可以最大限度地缓解由于 EMI 导致的信号质量下降问题。）
    • 确保将高速差分信号布置在距离参考平面边缘 ≥ 90mil 的位置。
    • 确保将高速差分信号布置在距离参考平面中的空洞至少 1.5W（计算出的布线宽度 × 1.5）的位置。当高速差分
    信号上的 SMD 焊盘有空洞时，此规则不适用。
    • 在 SoC BGA 迂回布线之后维持一致的布线宽度，以避免传输线路中存在阻抗失配现象。
    • 最大限度地减小差分对之间的间距（松散耦合
- 差分对称性：
- 连接器和插座：
- 过孔不连续性：
  - 尽可能实现短残桩：
  - 实现背钻：
    - 背钻是一种 PCB 制造工艺，即去除过孔残桩中不需要的导电镀层。若要进行背钻，请使用直径比钻出原始过孔的
      钻头稍大一些的钻头。这要求增加过孔的反焊盘直径以适合钻孔尺寸（对于那些待移除的层），以确保其他引线
      或平面不会受到钻孔的影响。当过孔转换导致残桩长于 15mil 时，对产生的残桩进行背钻可减少插入损耗并确保
      它们之间不会共振。
  - 反焊盘：仿真确定合适的反焊盘大小，确保合适额阻抗匹配
  - 差分对过孔相等
  - 表贴器件连续性缓解
  - 信号弯曲规范：
- ESD &EMI问题：
  - • 将 ESD 和 EMI 保护器件放在尽可能靠近连接器的位置。
    • 让任何未受保护的布线远离受保护的布线，以尽量减少 EMI 耦合。
    • 在 ESD 和 EMI 元件信号焊盘下方留出 60% 的空隙以减少损耗。其他记地方接地之外
    • 将 0402 0Ω 电阻器用于共模滤波器 (CMF) 无填充选项，因为一般来说，元件越大，就会引入比 CMF 更多的
    损耗。
    • 将所有必要的信号对交流耦合电容器放置在 CMF 的受保护侧，尽可能靠近 CMF。
    • 如果需要过孔过渡到 CMF 层，请确保过孔尽可能靠近 CMF。
    • 确保交流耦合电容 + CMF + ESD 保护部分的整体布线尽可能短，并尽可能靠近连接器

2、PCIE总线

2.1系统架构

PCIE 总线是系统内部最常用的高速总分结构的网络，其时钟架构总共由如下三种：

TDA4的开发板中介绍了一种CC架构的连接方式，其通过CDCI6214RGET IC clock generator，分别产生两路时钟信号，分别给从节点和TDA如上图1；

根据TDA4的官方手册，芯片的内部的PCIE_REFCLK是可以作为100MHz输出的。如下图：

因此，根据为了确认其时钟信号可否由Serdes接口设备进行产生，然后直接输出的从设备，根据最新发布的文档，其可以按照如下结构进行连接，因此，其可以通过ref_clk进行时呼出。

根据如下的架构图，需要说明如下几个问题：

PCIE的AC耦合电容通常位于发送端
PCIE 的规范要求支持极性反转，因此极性无所谓
PCIE 支持通道交换，因此通道无所谓
REF 的CLK连接：外部CLK&输出REF CLK模式：
1. 外部REFCLK：通用外部100MHz的始终，分别给器件和外设
  1. 对外设时钟要求：提供符合PCIe REFCLK规范的100M的 HCSL始终。
  2. 如果要用LVDS的时钟，则许满足如下要求：
    2. 时钟源的端接需要100 ohms 的差分。
2. 输出REFCLK：100M HCSL的时钟，由IC 给外设----这也是此处我们使用的方式
  1. refp和refn上输出，HCSL，并0.1uF的电容放在输出端进行耦合-0402封装
  2. 输出模式下，REFCLKP和REFCLKN的近侧的差分阻抗是要求，50ohms的。