半导体
文章平均质量分 71
阿法哥哥
这个作者很懒,什么都没留下…
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Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--Svisual(SmallMOS_2D3D) 解析
SmallMOS_2D3D Svisual 解析原创 2023-03-20 14:14:38 · 3023 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--Sdevice(SmallMOS_2D3D) 解析
SmallMOS_2D3D 解析Sdevice 部分原创 2023-03-13 17:44:02 · 8816 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--Sprocess(SmallMOS_2D3D) 解析
Sprocess示例SmallMOS_2D3D 解析原创 2023-03-07 16:23:46 · 2789 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--Sprocess(2DGS) 解析
Sprocess示例2DGS 解析。原创 2023-03-05 14:22:38 · 3974 阅读 · 1 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--Sentaurus Process User Guide<1>
三维功能包括使用MGOALS模块对三维边界文件进行网格划分、力学(应力和应变)、扩散、有限的3D氧化能力,以及Sentaurus Structure Editor接口(这是基于ACIS实体建模库的3D几何编辑工具)。因此,所有在1D和2D中可用的高级模型和用户可编辑性都可以在3D中使用。原创 2023-03-02 15:18:30 · 2305 阅读 · 1 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--Sde概述
Sde 方便处理rule check相关的问题。同时也能让使用者进一步了解器件结构、掺杂和引线等基本操作。Sde用于搭建结构,重新优化网格,提供.mesh文件供后面Sdevice仿真。原创 2023-02-27 10:50:11 · 11561 阅读 · 4 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--Diode(sde) 解析
#Diode(sde)解析。原创 2023-02-23 09:57:46 · 1962 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--BJT(sde) 解析
This Scheme extension为后续Procem操作提供仿真区间(simulation domain).这个参数列表包含了四个实数或实数对列表。在恒定掺杂的情况下,不需要单独的注入命令,如高斯掺杂分布的情况。生成细分的TDR边界输出和网格命令文件,并调用Sentaurus Mesh。使用分析函数创建掺杂分布,模拟包括扩散在内的注入步骤。在网格命令文件中创建高斯函数掺杂配置文件的设定。使用指定的材料填充器件,直到达到指定的高度。将指定的材质和区域属性分配给body.将优化函数添加到指定的优化。原创 2023-02-21 18:17:27 · 3771 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--CMOS_180nm 解析
Sentaurus CMOS_180nm sample 解析原创 2023-02-08 17:40:12 · 9074 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Svisual《一》看图工具
Svisual作为独立的模块,可以实现Inspect对于节点.plt曲线的查看,也可以实现TecplotSV的.tdr看图功能,还可以进行自动化操作。1.1 打开:Sdevice模块下面运行完的节点(黄色),方法一:右键–>Visualize–>Sentaurus Visual(Select File…), 跳转到sentaurus Visualization(左侧都是以.plt结尾的文件名),选择一个要查看的内容,点击ok.方法二:双击运行完全的节点,跳转到Node xx Explorer,在左下角找原创 2022-12-07 15:07:56 · 5956 阅读 · 1 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Sdevice《7》Solve模块
求解(Solve)部分命令段用于设置完成数值计算所需要经过的计算过程。原创 2022-12-02 18:46:58 · 1843 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Sdevice《6》Math模块
在采用牛顿迭代法的时候,所有变量值都是变化的,且变量间的耦合也被考虑在其中,所以求解出的结果更为准确。为了通过迭代算法求解半导体器件方程,必须将整个器件划分成一定的网格,然后在这些网格基础上对上述方程进行离散化,即用网格点上一系列的函数值来替代偏微分方程的连续函数解,用恰当的差分算子来替代微分算子并进行仿真运算。在对器件仿真求解过程中,最重要的方程是泊松方程,由于泊松方程是非线性的,求解过程与牛顿不断迭代的方式相同。为介电参数,q为电子电荷质量,n和p是电子和空穴浓度,N。为净电子空穴复合率,J。原创 2022-12-02 12:55:36 · 2793 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Sdevice《5》Plot模块
Sdevice仿真绘图结果是通过Plot命令来采集与输出的,也就是Plot命令在Sdevice运行的同时对器件在不同电学条件下进行“拍照"。保存格式为".tdr",并通过看图工具进行查看。注意,带Vector的表示矢量,具有方向,没有vector表示标量。有时候,打开.tdr存图分析电势时会发现,电压为0的地方,但电势并不为0,可能是-0.5V,这是正常的情况。Density and Current 用于看载流子密度与电流。Field and charges 用于看电场与电荷。原创 2022-12-02 10:08:23 · 1760 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Sdevice《4》Physics模块
迁移率表征的是载流子在单位电场下的平均运动速度,而不是单单的漂移运动,因为载流子的运动除了在外力作用下的漂移,还有浓度差的扩散,以及粒子之间的碰撞散射。雪崩效应描述的是碰撞电离率、电场和温度三者之间的关系,常见的几种雪崩效应模型包括Okuto模型、Lackner模型、Unibo模型、vanOverstreaten模型等,在防雪崩击穿特性的时候是必须要使用的。Recombination定义了复合模型,包括肖克莱复合以及碰撞电离相关的复合模型等。Avalanche表示使用了雪崩击穿模型,如。原创 2022-12-01 21:36:44 · 4367 阅读 · 1 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Sdevice《3》Electrode模块
通常会在Gate添加Barrier,用于定义多晶硅电极的功函数差,把多晶硅当成金属电极,PMOS 为正,NMOS为负,通常是0.55和-0.55eV。肖特基功函数Schottky Workfunction的定义。Resistor表示漏极串联了一个高值电阻,阻值为10。Voltage定义了电极电压,电极接触默认为欧姆接触。电极定义部分用来器件所有电极电压的初始值,即电极。当使用瞬态时,这里可以定义脉冲。一般为了收敛,都设置为0。电荷Charge的定义。原创 2022-12-01 11:46:26 · 1645 阅读 · 1 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Sdevice《2》File模块
这个网格文件可以是Sprocess产生,也可以是Sde产生。网格文件包含了器件尺寸和掺杂等重要信息的文件。比如前面Sprocess产生的n5_fps.tdr文件,Grid="@tdr@"这条语句就可以把它调过来进行仿真。当然这条语句也可以改成Grid=“n5_fps.tdr"仿真,但是每次调用的只是n5节点下的文件, Grid=”@tdr@"可以自动调用前面所产生的网格文件,这在分组比较多的程序中占有优势.原创 2022-11-30 21:43:32 · 1753 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-命令注释
Sprocess、Sdevice、Svisiual和Sde等不同的工具,注释标识符是不一样的。原创 2022-11-25 14:25:33 · 2861 阅读 · 2 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-Tcl《4》
介绍TCAD sentaurus的Tcl示例。原创 2022-11-24 15:51:33 · 1535 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-Tcl《3》
TCAD Sentaurus工具引入更高级的Tcl命令。原创 2022-11-24 12:03:20 · 1498 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-Tcl《2》
介绍对使用TCAD sentaurus工具最有用的基本Tcl命令(本章节中用到的所有示例,请参考上一部门《1》的内容)在Tcl中,变量在使用之前不需要声明,并且它们没有类型。美元符号($)用于访问变量的值。(put命令写入标准输出、即屏幕)在某些情况下,不清楚变量名称的结尾和字符串的开头。原创 2022-11-24 10:44:08 · 1994 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-Tcl《1》
介绍了Tcl的一些基本特点,以及学习思路原创 2022-11-23 17:23:44 · 3092 阅读 · 0 评论 -
Synopsys Sentaurus TCAD系列教程
Sentaurus系列教程启动原创 2022-11-04 11:08:40 · 3875 阅读 · 1 评论 -
肖特基整流二极管
肖特基二极管原创 2022-09-22 14:45:38 · 641 阅读 · 0 评论 -
BPSG和PSG
半导体工艺中的CNT Loop原创 2022-09-22 14:17:59 · 3297 阅读 · 0 评论 -
X射线实时成像系统
X射线实时成像系统性能分析为了达到X射线实时成像系统可以对BGA焊点缺陷进行自动检测识别功能,系统对于被检测缺陷的分辨率应达到行业设计指标,下面将对BGA焊点检测系统的性能做出具体分析。实时成像系统系能的评定目前还没有统一标准,也没有形成一致的评价方法。因为对实时成像系统评价的方法还需要有长时间的认识和实践过程,而且由于器件选取搭配的不用各种实时成像系统性能差别较大。图像检测结果的精确度与客观...原创 2018-11-14 16:22:53 · 3005 阅读 · 0 评论 -
BGA焊点气泡的分布与原因
BGA焊点内存在气泡是一种普遍并且难以避免的现象。焊点气泡是锡膏中焊剂残留和焊接面杂质在焊点融化时未排除焊点而存储于其中形成的。气泡过大不仅会导致焊点强度的降低,还会使得锡球体积变大,加大短路的几率,即使不形成短路等缺陷,也可能影响电气连接。IPC标准已经明确规定了X射线影响区内任何焊料球的空洞大于25%视为缺陷。除锡膏之外导致产生气泡的情形主要分为以下三类:1)在厂内新机种试产阶段,试产阶...原创 2018-11-07 17:49:22 · 9176 阅读 · 0 评论