Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Sdevice《3》Electrode模块

阿法哥哥

已于 2022-12-01 11:47:15 修改

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分类专栏：半导体文章标签： TCAD Sdevice Electrode

于 2022-12-01 11:46:26 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_42104289/article/details/128127184

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本文详细介绍了Sdevice 2.0中电极配置的相关内容，包括电极名称、初始电压设置及边界条件。阐述了如何通过定义脉冲电压来设置瞬态分析中的电极电压，并解释了在Gate上添加Barrier的作用及其对于不同类型的MOS管的影响。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

Electrode{
	{ Name="source" 	 Voltage=0.0}
	{ Name="gate"     	 Voltage=0.0}
	{ Name="drain"   		 Voltage=0.0}
	{ Name="Substrate" Voltage=0.0}
}

电极定义部分用来器件所有电极电压的初始值，即电极边界条件
一般为了收敛，都设置为0
当使用瞬态时，这里可以定义脉冲
Voltage定义了电极电压，电极接触默认为欧姆接触
Resistor表示漏极串联了一个高值电阻，阻值为10⁸Ω
```
{ Name= "collector" Voltage= 0.0 Resistance=@Rc@}
```
通常会在Gate添加Barrier,用于定义多晶硅电极的功函数差，把多晶硅当成金属电极，PMOS 为正，NMOS为负，通常是0.55和-0.55eV
电荷Charge的定义
肖特基功函数Schottky Workfunction的定义