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14.3.1 端口配置寄存器（GPIOx_CRL 和 GPIOx_CRH）
0. 《STM32单片机自学教程》专栏
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从本章开始我们就要开始外设等相关模块的介绍。 我们首先要介绍的就是GPIO，因为我认为GPIO是最基础也是最重要的一个外设功能。那么后续针对每一个外设，我们大致都会从下面几个部分进行讲解：
1.硬件结构及原理
2.相关寄存器
3.相关库函数
4.实例练习
14.1 GPIO基本结构
GPIO 有八种工作模式，为讲清楚这些模式的实现原理，我们需要先讲解GPIO的基本结构，总的框图如图14.1-1所示。右边I/O 引脚就是我们可以看到的芯片实物的引脚，其余部分均为GPIO 的内部结构。
图14.1-1 GPIO的基本结构图
14.1.1 保护二极管
引脚的两个保护二级管可以防止引脚外部过高或过低的电压输入，当引脚电压高于VDD 时，上方的二极管导通，当引脚电压低于 VSS 时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。 虽然有二极管的保护，但这样的保护却很有限，大电压大电流的接入很容易烧坏芯片。
14.1.2 上拉、下拉电阻
上下拉电阻的阻值大概在30~50K欧之间，可以通过上、下两个对应的寄存器控制开关。当引脚外部的器件没有干扰引脚的电压时，即没有外部的上、下拉电压，引脚的电平由引脚内部上、下拉决定。内部上拉电阻工作时引脚电平为高电平，内部下拉电阻工作时，则引脚电平为低电平。如果内部上、下拉电阻都不开启，这种情况就是浮空模式。浮空模式下引脚的电平是不可确定的。引脚的电平可以由外部的上、下拉电平决定。由于上下拉电阻的阻值较大，STM32的内部上拉是一种“弱上拉”，这样的上拉电流很弱，如果有要求大电流还是得外部上拉。
14.1.3 施密特触发器
图中的TTL肖特基触发器即为施密特触发器，当输入电压高于正向阈值电压，输出为高；当输入电压低于负向阈值电压，输出为低；当输入在正负向阈值电压之间，输出不改变。也就是说输出由高电平翻转为低电平，或是由低电平翻转为高电电平对应的阈值电压是不同的。只有当输入电压发生足够的变化时，输出才会变化，因此将这种元件命名为触发器。这种双阈值动作被称为迟滞现象。我们软件开发种经常用到“滞环调节”，是一个道理，一个经常的应用场景是防止在边界附件来回震荡。施密特触发器可作为波形整形电路，能将模拟信号波形整形为数字电路能够处理的方波信号。
14.1.4 P-MOS 管和 N-MOS 管
这种双MOS管结构，主要控制GPIO的开漏输出和推挽输出两种模式。这里我们只用记住，PMOS输入低电平时导通，NMOS输入高电平时导通即可。详细内容，后面还会介绍。
14.1.5 输出数据寄存器
刚到的双MOS管结构电路的输入信号，是由GPIO“输出数据寄存器GPIOx_ODR”提供的，因此我们通过修改输出数据寄存器的值就可以修改GPIO引脚的输出电平。也可以通过“置位/复位寄存器GPIOx_BSRR”修改输出数据寄存器的值，来控制电路的输出。
14.1.6 输入数据寄存器
GPIO引脚经过内部的上、下拉电阻，可以配置成上/下拉输入，然后再连接到施密特触发器，信号经过触发器后，模拟信号转化为0、1的数字信号，然后存储在“输入数据寄存器GPIOx_IDR”中，通过读取该寄存器就可以了解GPIO引脚的电平状态。
14.2 GPIO工作模式
GPIO有八种工作模式，分别如下，我们分输入，输出和复用功能3个大类进行描述。
1、输入浮空
2、输入上拉
3、输入下拉
4、模拟输入
5、开漏输出
6、推挽输出
7、开漏式复用功能
8、推挽式复用功能
14.2.1 输入模式
在输入模式时，施密特触发器打开，输出被禁止，可通过输入数据寄存器GPIOx_IDR读取I/O状态。其中输入模式，可设置为上拉、下拉、浮空和模拟输入四种。
14.2.1.1 输入浮空模式
上拉/下拉电阻为断开状态，施密特触发器打开，输出被禁止。输入浮空模式下，IO口的电平完全是由外部电路决定。如果IO引脚没有连接其他的设备，那么检测其输入电平是不确定的。该模式通常用于按键检测等场景。
图14.2-1 输入浮空模式
14.2.1.2 输入上拉模式
上拉电阻导通，施密特触发器打开，输出被禁止。在需要外部上拉电阻的时候，可以使用内部上拉电阻，这样可以节省一个外部电阻，但是内部上拉电阻的阻值较大，所以只是“弱上拉”，不适合做电流型驱动。
图14.2-2 输入上拉模式
14.2.1.3 输入下拉模式
下拉电阻导通，施密特触发器打开，输出被禁止。在需要外部下拉电阻的时候，可以使用内部下拉电阻，这样可以节省一个外部电阻，但是内部下拉电阻的阻值较大，所以不适合做电流型驱动。
图14.2-3 输入上拉模式
14.2.1.4 模拟输入模式
此模式下上下拉电阻断开，施密特触发器关闭，双 MOS 管也关闭。其他外设可以通过模拟通道输入输出。该模式下需要用到芯片内部的模拟电路单元单元，用于ADC/DAC等操作模拟信号的外设。
当GPIO引脚用于ADC采集电压的输入通道时，用作“模拟输入”功能，此时信号是不经过施密特触发器的，因为经过施密特触发器后信号只有0、1两种状态，所以ADC外设要采集到原始的模拟信号，信号源输入必须在施密特触发器之前。同样，当GPIO引脚用于DAC作为模拟电压输出通道时，此时作为“模拟输出”功能，DAC的模拟信号输出就不经过双MOS管结构，模拟信号直接输出到引脚。
图14.2-4 模拟输入模式
14.2.2 输出模式
输出模式主要是由双MOS管的开闭控制来实现的，画了一个示意图，如图14.2-5所示。在输出模式中，推挽模式时双MOS管以轮流方式工作，输出数据寄存器GPIOx_ODR可控制I/O输出高低电平。开漏模式时，只有N-MOS管工作，输出数据寄存器可控制I/O输出高阻态或低电平。输出速度可配置，有2MHz\10MHz\50MHz的选项。此处的输出速度即I/O支持的高低电平状态最高切换频率，支持的频率越高，功耗越大，如果功耗要求不严格，把速度设置成最大即可。
在输出模式时施密特触发器是打开的，即可通过输入数据寄存器GPIOx_IDR可读取I/O的实际状态。
下面我们分别进行介绍。
图14.2-5 输出模式控制示意图
14.2.2.1 推挽输出模式
图14.2-6 推挽模式等效电路
推挽输出模式，是根据这两个MOS管的工作方式来命名的。在该结构中输入高电平时，经过反向后，上方的P-MOS导通，下方的N-MOS关闭，对外输出高电平；而在该结构中输入低电平时，经过反向后，N-MOS管导通，P-MOS关闭，对外输出低电平。当引脚高低电平切换时，两个管子轮流导通，PMOS管负责灌电流-“推”，NMOS管负责拉电流-“挽”，使其负载能力和开关速度都比普通的方式有很大的提高。推挽输出的低电平为0伏，高电平为3.3伏，如上图所示推挽输出模式时的等效电路。
由于推挽输出模式下输出高电平时，是直接连接 V DD ，所以驱动能力较强，可以做电流型驱动，驱动电流最大可达 25mA，但是芯片的总电流有限，所以并不建议这样用，最好还是使用芯片外部的电源。
14.2.2.2 开漏输出模式
图14.2-7 开漏输出等效电路
在开漏输出模式时，上方的P-MOS管完全不工作。如果我们控制输出为0低电平，N-MOS管导通，使输出接地，若控制输出为1(它无法直接输出高电平)时，则P-MOS管和N-MOS管都关闭，所以引脚既不输出高电平，也不输出低电平，为高阻态。为正常使用时必须外部接上拉电阻，等效电路如上图。它具有“线与”特性，也就是说，若有很多个开漏模式引脚连接到一起时，只有当所有引脚都输出高阻态，才由上拉电阻提供高电平，此高电平的电压为外部上拉电阻所接的电源的电压。若其中一个引脚为低电平，那线路就相当于短路接地，使得整条线路都为低电平0。
那么开漏输出模式的应用场景是什么的？总结下来主要有2个：
1.电平不匹配的场合
STM32输出的高电平是3.3V，如果外部需要更高或者更低的电压，那么推挽输出就不合适了。此时就可以在外部接一个上拉电阻，上拉电源为外部需要的电压，如5V，并且把GPIO设置为开漏模式，当输出高阻态时，由上拉电阻和电源向外输出5伏的电平，输出低电平时则输出低电平0V，如图14.2-8。
图14.2-8 开漏模式输出5V电压
2.需要“线与”功能的总线电路
如 I2C通讯等需要“线与”功能的总线电路中一般要用开漏模式。多个控制器全部输入1高阻态时则为1，只要有一个为低电平，那么整个电路就是0.此时推挽输出模式就不可以了，因为有的控制器输入1，PMOS导通，有的控制器输入0，NMOS导通，此时双MOS管都存在导通的情况，直接就短路了。
14.2.3 复用功能
复用功能模式中，输出使能，输出速度可配置，可工作在开漏复用及推挽复用两种模式，但是输出信号源于其它外设，不再是ODR寄存器，输出数据寄存器GPIOx_ODR无效；此时输入可用，我们可以通过输入数据寄存器可获取I/O实际状态。但一般情况下我们是直接用外设的寄存器来获取该数据信号。
具体这2种模式参考前面推挽/开漏输出模式即可，区别是输出信号源的差异。如下图14.2-9所示。
图14.2-9 复用输出模式
14.3 GPIO寄存器介绍
STM32F1每组通用GPIO口有7个32位寄存器控制，包括：
2个32位端口配置寄存器（CRL和CRH）
2个32位端口数据寄存器（IDR和ODR）
1个32位端口置位/复位寄存器（BSRR）
1个16位端口复位寄存器（BRR）
1个32位端口锁定寄存器(LCKR)
下面介绍一下主要的寄存器。大家还是要学会自己去看参考手册，寄存器太多，但原理都差不多。
14.3.1 端口配置寄存器（GPIOx_CRL 和 GPIOx_CRH）
这两个寄存器前面也已经有介绍。都是GPIO口配置寄存器，CRL控制端口的低八位，CRH控制端口的高八位。寄存器的作用是控制GPIO口的工作模式和工作速度，寄存器描述如图14.3-1和图14.3-2。
图14.3-1 CRL寄存器说明
图14.3-2 CRH寄存器说明
每组GPIO有16个IO口，一个寄存器共32位，每4个位控制1个IO，所以需要两个寄存器。这个寄存器的复位值0x44444444代表什么含义？说明如下：如GPIOA_CRL的复位值是0x44444444，4位为一个单位都是0100，首先位1：0为00即是设置GPIO端口为输入模式，位3：2为01即设置为浮空输入模式。所以假如GPIOA_CRL的值是0x44444444，那么PA0~PA7都是设置为浮空输入模式。
这2个配置寄存器就是用来配置GPIO的相关工作模式和工作速度，通过不同的配置实现不同的8种工作模式。配置方式如图14.3-3.
图14.3-3 GPIO配置寄存器配置说明
14.3.2 端口输出数据寄存器（GPIOx_ODR）
该寄存器用于控制 GPIOx 的输出高电平或者低电平，寄存器描述如图 14.3-4 所示。
图14.3-4 ODR寄存器说明
该寄存器低16位有效，分别对应每一组GPIO的16个引脚。当CPU写访问该寄存器，如果对应的某位写0(ODRy=0)，则表示设置该IO口输出的是低电平，如果写1(ODRy=1)，则表示设置该IO口输出的是高电平，y=0~15。此外，除了ODR寄存器，BSRR寄存器也是用于控制GPIO输出的。
14.3.3 端口置位/复位寄存器（GPIOx_BSRR）
该寄存器也用于控制GPIOx的输出高电平或者低电平，寄存器描述如图14.3-5。
图14.3-5 BSRR寄存器说明
为什么有了ODR寄存器，还要这个BSRR寄存器呢？我们先看看BSRR的寄存器描述，首先BSRR是只写权限，而ODR是可读可写权限。BSRR寄存器32位有效，对于低16位（0-15），我们往相应的位写1(BSy=1)，那么对应的IO口会输出高电平，往相应的位写0(BSy=0)，对IO口没有任何影响，高16位（16-31）作用刚好相反，对相应的位写1(BRy=1)会输出低电平，写0(BRy=0)没有任何影响，y=0~15。也就是说，对于BSRR寄存器，你写0的话，对IO口电平是没有任何影响的。我们要设置某个IO口电平，只需要相关位设置为1即可。而ODR寄存器，我们要设置某个IO口电平，我们首先需要读出来ODR寄存器的值，然后对整个ODR寄存器重新赋值来达到设置某个或者某些IO口的目的，而BSRR寄存器直接设置即可，这在多任务实时操作系统中作用很大。BSRR寄存器还有一个好处，就是BSRR寄存器改变引脚状态的时候，不会被中断打断，而ODR寄存器有被中断打断的风险。
【引自：正点原子】
14.4 GPIO库函数
GPIO库函数如图14.4-1所示：
图14.4-1 GPIO库函数
具体使用方法可查看代码或者参考《STM32F103xx固件函数库用户手册》 。
14.5 应用说明
具体代码怎么写都是要看硬件怎么设计的，根据前面讲述的内容，我们以点亮LED为例，如图14.5-1.假如我们的LED不能靠3.3V点亮，是需要更高电压点亮，或者电流要求较大的时候，那我们可以设置个外部电路，并配置为开漏模式。
图14.5-1 LED点亮方式
参考资料：
【1】哔站江协科技STM32入门教程
【2】《STM32单片机原理与项目实战》刘龙、高照玲、田华著
【3】《ARM Cortex-M3嵌入式原理及应用》黄可亚著
【4】《STM32嵌入式微控制器快速上手》陈志旺著
【5】《STM32单片机应用与全案例实践》沈红卫等著
【6】《野火STM32开发指南》
【7】《正点原子STM32开发指南》
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