LDO(低压差线性稳压器)相关知识（一）

一、简介

LDO（low dropout regulator，低压差线性稳压器）。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。
如下为三端稳压器7805

下面为LDO芯片ams1117

二、分类

PMOS LDO：
常见的LDO是由P管构成的，由于LDO效率比较低，因此一般不会走大电流。

NMOS LDO：
针对某些大电流低压差需求的场合，NMOS LDO应运而生。

传统PNP LDO：
正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右。
传统NPN LDO：
使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

三、工作原理

LDO=low dropout regulator，低压差+线性+稳压器。
低压差： 输出压降比较低，例如输入3.3V，输出可以达到3.2V。
线性： LDO内部的MOS管工作于线性电阻。
稳压器： 说明了LDO的用途是用来给电源稳压。
3.1 内部结构
以PMOS LDO为例：

LDO内部基本都是由4大部件构成，分别是分压取样电路、基准电压、误差放大电路和晶体管调整电路。

分压取样电路： 通过电阻R1和R2对输出电压进行采集；
基准电压： 通过bandgap（带隙电压基准）产生的，目的是为了温度变化对基准的影响小；
误差放大电路： 将采集的电压输入到比较器反向输入端，与正向输入端的基准电压（也就是期望输出的电压）进行比较，再将比较结果进行放大；
晶体管调整电路： 把这个放大后的信号输出到晶体管的控制极（也就是PMOS管的栅极或者PNP型三极管的基极），从而这个放大后的信号（电流）就可以控制晶体管的导通电压了，这就是一个负反馈调节回路。
反馈回路
当输出电压V o u t V_{out}V out由于负载变化或其他原因电压下降时，两个串联分压电阻两端的电压也会下降，进而A点电压下降，A点的电位和基准电压V R E F V_{REF}V REF电位相比较，误差放大器会减小它的输出，使得PMOS管G极电压下降，PMOS管V S V_{S}V S 电压不变，进而使得∣ V G S ∣ |V_{GS}|∣V GS∣的压差增加（我们用Vgs和Vds的绝对值描述PMOS更直观）ISDI_{SD}I SD​ 会增加，输出电流I o u t I_{out}I out​ 增加就会使得输出电压V o u t V_{out}V out上升，完成一次反馈控制，使得V o u t V_{out}V out​ 又回到正常电位。
LDO工作原理就一句话：通过运放调节P-MOS的输出。

四、主要参数

输入输出压差（Dropout Voltage）：
对于LDO来说，输入电压是高于输出电压的，但是两者压差一般都是很小，LDO的输入电流几乎等于输出电流，因此压差越大，效率越低（本身吃掉了很多能量电流×晶体管压降），压差越小，LDO电压转换效率越高以及能量损耗越小。
压差(V D R O P O U T V_{DROPOUT}V DROPOUT )是指输入电压进一步下降而造成 LDO 不再能进行调节时的输入至输出电压差。在压差区域内，调整元件作用类似于电阻，阻值等于漏极至源极导通电阻（R D S O N RDS_{ON}RDS ON​ ）。
压差用R D S O N RDS_{ON}RDSON
VDROPOUT =I LOAD×RDSON

电源抑制比（PSRR）：
LDO的 PSRR数据是用来量化LDO对不同频率的输入电源纹波的抑制能力的，它反映了LDO不受噪声和电压波动、保持输出电压稳定的能力。在特定频段内，PSRR越大越好。
100K到1MHz内的PSRR非常重要，这个是DCDC的噪声频率范围，LDO经常作为DCDC的下一级，要有能力滤除来自DCDC的大量噪声。
在ADC，DAC，Camera的AVDD供电上，我们要选择PSRR大于80dB（@100Hz）的LDO。LDO的环路控制往往是确定电源抑制性能的主要因素，同时大容量，低ESR的电容对电源一直也非常有用，建议选择陶瓷电容。
PSRR与频率有关，LDO的规格书一般会给出几个频点的PSRR值。
如下是某LDO的噪声水平，通常在uV级别。

LDO输出噪声的另一种表示方式是噪声频谱密度。只有高精度，低噪声电路上才需要关注这个参数。
静态电流（Iq）：
静态电流（Quiescent Current）是外部负载电流为0时，LDO内部电路供电所需的电流。内部电路包括带隙基准电压源、误差放大器、输出分压器以及过流和过温检测电路。这个电流经过从LDO的GND流出。

五、和DCDC区别

LDO外围器件少，电路简单，成本低，通常只需要一两个旁路电容；
DC-DC外围器件多，电路复杂，成本高；

LDO负载响应快，输出纹波小；
DC-DC负载响应比LDO慢，输出纹波大；

LDO效率低，输入输出压差不能太大；
DC-DC效率高，输入电压范围宽泛；

LDO只能降压；
DC-DC支持降压和升压；

LDO和DC-DC的静态电流都小，根据具体的芯片来看；
LDO输出电流有限，最高可能就几A，且达到最高输出和输入输出电压都有关系；
DC-DC输出电流高，功率大；

LDO噪声小；
DC-DC开关噪声大，为了提高开关DC-DC的精度，很多应用会在DC-DC后端接LDO；

LDO分为可调和固定型；
DC-DC一般都是可调型，通过FB反馈电阻调节；

六、选取原则

电压类型：确定电路需要的电压类型是正电压还是负电压。正电压的器件较多，负电压的器件可以考虑LM2991（较多大公司使用）。

输入电压：稳压器输入端可以输入的电压范围（注意输入电压需要降额80％考虑）。

输出电压：稳压器输出端的输出电压值，不要选有ADJ功能的，这样节省器件，降低干扰。

输出电流：稳压器输出端的最大输出电流值（至少留25%裕量）。

压差：确定压差是否合适，一定要查看规格书上，对应最大电流的最小压差要求。

封装：单板PCB、结构尺寸和生产线对封装形式的要求。

线性调整率：稳压器输入变化对输出的影响，即在负载一定的情况下，输出电压变化量和输入电压变化量之比。线性调整率越小越好。

负载调整率：是指在给定负载变化下的输出电压的变化，这里的负载变化通常是从无负载到满负载。负载调整率越小越好。

电源纹波抑制比(PSRR)：表示稳压器抑制由输入电压造成的输出电压波动的能力。线性调整率只有在直流电时才需要考虑，但是电源抑制比必须在宽频率范围上考虑。PSRR是一个用来描述输出信号受电源影响的参量，PSRR越大，输出信号受到电源的影响越小。如果用在低噪声场合，一定要选择高PSRR（80dB以上）的LDO，建议在80dB以上。

瞬态响应：表示负载电流突变时引起的输出电压的最大变化，它是输出电容及其等效串联电阻和旁路电容的函数。其中输出电容的作用是提高负载瞬态响应的能力，也起到了高频旁路的作用。

静态电流(Iq)：又叫接地电流，是通路元件的偏流和驱动电流的组合，通常保持尽可能低的水平。静态电流越大，稳压器的效率越低。如果是电池供电，对续航要求很高，一定要选择Iq低的LDO。

最大耗散功率：为了确保LDO节点温度不至于过高而损坏，LDO都必须计算最大耗散功率。LDO的实际耗散功耗要小于最大耗散功率，否则可能损坏LDO芯片。

输出电容以及ESR值：如果器件对输出电容以及ESR有特殊要求，考虑公司现有器件是否满足要求（几乎每一家的LDO，CIN和COUT都要求1uF以上，ESR越低越好，最好小于100mΩ，但也不能太小，低于几个mΩ也可能使LDO工作不稳定）。