weixin_42306014的博客

我们解释下具体应用时的意思，例如我们看到增益为21.6DB时，频率大概为100K.我们看到21.6DB为放大12倍，我们的增益带宽积为1.2M,1200000/12=100K。注意，我们这里进行仿真的输入信号幅度都比较小，如果输入信号幅度比较大，又会出现别的现象，具体原因就和压摆率有关系了，这个问题我们下一节继续了解。可以看到，输出信号为输入信号12倍，和理论计算一样。可以看到当增益为0时，对应的信号频率为1.2Mhz，这条曲线上的增益值与频率的乘积为一个定值，这便是增益带宽积。

较好的运放输出电压范围可以与电源电压范围非常接近，比如几十 mV 的差异，这被称为“输出至轨电压”。优劣评定：一般运放的输入电压范围比电源电压范围窄 1V 到几V，比如 ±15V 供电，输入电压范围在-12V~13V。之所以叫共模输入电压范围，是因为运放正常工作时，两个输入端之间的差压是很小的，某个输入端的电压与两个输入端电压的平均值（共模）是基本相同的。理解：在没有额外的储能元件情况下，运放的输出电压不可能超过电源电压范围，随着负载的加重，输出最大值与电源电压的差异会越大。也称为共模输入电压范围。

从放大电路的输入端看进去的等效电阻称为放大电路的输入电阻，如上图，此处考虑中频段的情况，故从放大电路输入端看，等效为一个纯电阻Ri。通常希望放大电路的输入电阻越大越好，Ri越大，说明放大电路对信号源的索取的电流越小。放大器输入端得到的信号电压也越大，即信号源电压衰减的少。因此作为测量信号电压的示波器、电压表等仪器的放大电路应当具有较大的输入电阻。对于一般的放大电路来说，输入电阻当然是越大越好。当R1=R4时，2处的信号为1处信号的一半。如果想从信号源取得较大的电流，则应该使放大器具有较小的输入电阻。

上电后，TL431还未导通之前，IREF=0，根据串联分压原理，VREF=VIN/(R+R1+R2)*R2=8.81V,则VREF>2.5V，TL431导通，则VKA被拉低。VKA被拉低后，导致R1、R2上分压降低，则VREF降低，当VREF降低到<2.5V后，TL431截止，VKA电压又上升，R1、R2上分压增大，VREF电压又回升，当VREF电压回升到>2.5V后，TL431又导通，VKA又被拉低，如此循环往复。输出电压计算公司按Vout=（1+R1/R2）*Vref，其中Vref=2.5V。

at24c01，at24c02：这里可以看到，因为at24c01，at24c02容量最大就256byte，所以读写地址就8位位宽.device address高四位是固定的1010，后三位又来连接多个eeprom时区分不同器件，最后一位为读写位。2.其他小于16K型号如下，区别在于device address，我们看到Word Address仍然是8位，对于4k，8k，16k的容量，分别借用device address的1,2，3位来扩展容量。我们看到不同的型号代表着不同的容量。以上就是一个简单的总结。

这对于FLASH的使用者来说并不友好，需要仔细研读FLASH使用手册，增加了开发的难度与周期，随着市场竞争的愈发激烈，各FLASH厂商都想提高自己产品的核心竞争力，此时，JEDEC联合几家规模较大的厂商制定了SFDP（Serial Flash Discoverable Parameter）标准，从此，FLASH的用户对于FLASH相关的开发可谓事半功倍，尤其是对驱动开发者而言，厂商之间的差异性不再是对FLASH驱动开发的限制。以下是spi通讯的四根数据线，片选cs，时钟clk，di数据输入，do数据输出。

2.如果输出电流不是特别大，例如只有1A左右，又不想加散热，那么最好降低输入电压，实测1A,1.8V输出，5V输入情况下，即使不加散热，芯片温度也会保持在30度左右。4.测试结果，当输入为5V，输出1.8V,2.3A电流时，芯片明显发热，并且输出电压也会有所下降，负载超过2.3A时，输出异常PDOOD引脚拉低。这个引脚可以作为输出正常的指示信号，当负载电流过大，输出为低，正常输出时为高。1.如果需要输出接近芯片极限的电流，且对输出电压精度有要求，那么需要输入的电压高一些，但是发热量也比较大，需要外加散热。

可以看到MOS管的控制端一般需要一个较高的电平，我们常用的控制类IC都是3.3/5V电平，无法充分的将MOS管打开，我们看下面参数，不同的Vgs压差会影响Rds内阻，也就是说Vgs压差越大，内阻越小，功耗越低。要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够，输出电压也没有这么高，所以需要驱动器。如下图为一款mos管驱动器，我们可以看到他可以有6A的电流输出能力，宽工作电压4.5V-18V.

因此,为交流成分的输出信号Vo也与R的值无关。总之,即使改变负载电阻的值,输出电压V0也总是一定的(为vi),所以可以认为射极跟随器的输出阻抗几乎为0。该电路的设计方法是选择符合输入输出电流的晶体管(使用在数据表列出的互补对–即特性一致的NPN与PNP的对管)和在偏置电路上晶体管的基极电流(最大输出电流的1/hr),并使该电流按可以忽略的大小那样来进行流动。与在第2章所示的共发射极放大电路不同之处,在于信号是从发射极取出的,且没有集电极负载电阻Rc(该电阻在共发射极电路中是决定放大度的重要的电阻)。

输出信号uo的振幅(波形上下之间的值)为5V，这个电路的电压放大倍数A.为5。首先,在图2.1所示的电路中,基极的直流电位V(为”的直流部分,或者没有输人信号时的基极电位)是用R1和R2对电源电压Vcc进行分压后的电位(参见照片2.3),所以,流进晶体管的基极电流的直流成分是很小的,可以忽略,则。在图2.30的电路中,由于是将集电极电阻与发射极电阻取同一值,所以由集电极取出的反相输出的增益为0dB,与由发射极取出的正相输出信号的大小相一致(在发射极出现的信号大小与输入信号相同,就称增益为0dB)。

时钟缓冲器是比较常用的器件，其主要功能作用有时钟信号复制，时钟信号格式转换，时钟信号电平转换等。

1.关键参数比较重要。

TVS即Transient Volatge Suppressor，中文名称：瞬态电压抑制二极管，又称雪崩击穿二极管。但在通常情况下，我们称之为TVS二极管。其在电路中的作用主要是保护敏感电路，免受高电压瞬变损坏的组件。其中，大部分用于端口的保护，防止端口瞬间的电压冲击造成后级电路的损坏。其中高压瞬变的主要来源是静电放电，电气快速瞬变和浪涌事件。

LDO（low dropout regulator，低压差线性稳压器）。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。如下为三端稳压器7805下面为LDO芯片ams1117。

我们总结下动态存储器的各种时钟频率，为后面使用打下一个基础。

我们前三节讲到了ddr3的SO-DIMM内存条的相关知识，ddr3的SO-DIMM内存条应用在笔记本电脑，或者一些嵌入式领域。3.除了以上差异，dimm卡其余相关知识点可以参考so-dimm。通过这四节内容我们就把ddr3相关的内容整理的差不多了。以上是ddr3的dimm内存颗粒测试工装。可以看到，dimm卡共有240pin。2.与SO-dimm的比较。1.我们看下他的管脚定义。

2.可以看到，ddr3内存条总位宽为64位，内存条的尺寸也做了规定，为67.6mm*30mm，总pin为204脚。组成内存条容量支持256MB, 512MB, 1GB, 2GB, 4GB, 8GB，也就是说ddr3单内存条最大能买到8GB的，不可能再大。我们可以看到上面的内存条图片，他上面标识为B类卡，我们看下上面列表，B类卡最大4G，我们使用的是2GB的大小，所以组织形式也唯一，为256M。以上是对前两节内容的补充。16，2Gb大小，8位。3.ddr3内存条被分为5种形式，分别为A,B,C,D,E,F。

我们看到第二行2GB 1RX8 PC3-10600S-9-11-B2 具体含义上一节已经讲过了，我们深挖下1R*8，他的含义是排列一行，每颗芯片是8位的，什么？难道有两行排列不是一行的？是的看图，这个就是2R的样子.我们可以看出，若是16位芯片，我们可以用四片组成64位，如果是8位数据位宽，我们可以使用8片来组成64位位宽，例如上图就是8颗颗粒的内存条。这里就先看到这里，涉及到更多的内容我们后面继续总结。

最近在使用fpga读写DDR3，板子上的DDR3有两种形式与fpga相连，一种是直接用ddr3内存颗粒，另一种是通过内存条的形式与fpga相连。简单的说就是把地址相同的位连在一起，数据线依次排列，单片位16位，4片的话就扩位展为64位。8=256M.看看手册总容量为4Gb，这里意思是4Gbit，我们计算的256M，是按组织形式16位的，如果换算为bit则，256。这个版本的意思其实是内存条的不同组织形式，每个版本的特征与将来PCB布局布线、和内存条的频率时序都有关系，设计之初就要确定好。