[AutoSar]BSW_Memory_Stack_001 存储栈概述

  

关键词

嵌入式、C语言、autosar、OS、BSW

平台说明

项目	Value
OS	autosar OS
autosar厂商	vector ， EB
芯片厂商	TI 英飞凌
编程语言	C，C++
编译器	HighTec (GCC)
autosar版本	4.3.1

  
  
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缩写	描述
EEPROM	Electrically Erasable Programmable read only memory
NVM	NVRAM Manager
MEMIF	Memory Abstraction Interface
EA	EEPROM Abstraction
EEP	internal/external EEPROM DRIVER
FEE	Flash EEPROM Emulation
FLS	internal/external Flash Driver

背景

  以下内容参考英飞凌TC3XX系列。

一、存储栈的组成和功能

  如下图所示，存储栈由NVM,MEMIF,EA,FEE,EERDRV,FLSDRV组成。其中NVM 处于服务层，MEMIF,EA,FEE处于ECU抽象层，EERDRV,FLSDRV 处于微控制器抽象层（MCAL）。
  这些模块共同组成了autosar 存储栈，用于实现工程的memory管理，读写。

二、名称定义和描述

  Data Memory Unit (DMU): 控制在所有程序和数据闪存上执行的命令序列。
  Flash Standard Interface (FSI): 对所有闪存执行擦除、编程和验证操作。
  Program Flash (PFLASH): PFLASH分为一个或多个Bank，每个Bank连接到一个CPU。用于储存编程代码和常量数据。通过点对点传输来优化性能，以尽量减少延迟和最大限度地提高带宽。每个PFLASH连接一个PFLASH Read PFRWB (Write Buffer)，用于ECC校正和检测，并将读数据提供给系统。
  Data Flash (DFLASH): DFLASH用于模拟EEPROM和存储数据，分为两个BANK。与PFLASH访问相比，DFLASH读访问相对较慢。DFRWB (Read Write Buffer)是指FSI接口中的DFlash向DFlash提供读数据。DFLASH模块还包含存储配置数据的区域-User Configuration Blocks(ucb)和用户无法访问的Configuration Sector(CFS)。
  Program Flash Interface (PFI): 每个PFLASH Bank 都有一个独特的点对点快速连接到PFI提供的CPU。PFI是CPU和PFRWB之间的接口，包含用于存储推测数据的预取缓冲区。
  Boot ROM (BROM): 通过DMU SRI端口连接到系统。
  BANK: 包含一个或者多个 DFLASH Logical sector，也可以包含一个或者多个PFLASH Logical sector。以TC3XX为例，如下图所示三个BANK 分别为1M 2M 3M 。

  Physical Sectors: 与其他内存区域间的物理隔离，只要该BANK没用到，物理存储丢了也没啥事。一个Physical Sectors 包含（mapping关系）了多个Logical Sectors。
  Logical Sectors： 由多个PFLASH and DFLASH 字行组成。是芯片级上的最小擦除单位，也就是我们通常说得 “sector”。在FEE 中将 一个physical flash 分为了两个 Logical Sectors。

  page： 一组对齐的数据双字加上ECC扩展。它是可编程（写入）的最小单位。
在PFLASH 中长度为32 bytes + 22-bit ECC extension。
在DFLASH 中长度为8 bytes + 22-bit ECC extension。

  Wordline: 一组对齐的字节。
PFLASH: 1024 bytes.
DFLASH: 512 bytes in single ended mode and 256 bytes in complement sensing mode.
   Program Burst: 爆发时写入，比单page写快得多。
PFLASH: 8 pages (256 bytes).
DFLASH: 4 pages (32 bytes).
   (Logical) block: 属于在autosar中的概念,这是用户看到的最小可写/可擦单元。由一个或多个虚拟页组成。

2.1 片上单次最小擦除范围和单次最小写入范围

   以TC3XX 为例，最小擦除范围为一个Logical Sectors，最小写入范围为一个page。

三、EEPROM（DFLASH）和Flash

  参考：一、 存储类型
  EEPROM 和 FEE 都是Non-volatile memory，用于mcu在断电后的数据存储。

3.1EEPROM（DFLASH）

  EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，作为MCU中一种重要的存储位置，但是价格昂贵。
  EEPROM 一般用于需要经常改变的信息的存储，例如DTC，上下电计数等。
  EEPROM 由EEP block 组成，一个EEP block一般1-4bytes。写入的时候最小单位为EEP block，在写入之前可以擦写也可以不擦直接修改。如下图所示，擦除仅会影响一个EEP block。


上图为TC3XX 中的DPFLASH_EEPROM 的sector structure。

3.2 Flash

  相比于EEPROM，FLASH 有着更大的存储单元，不能被单page擦除，只能以sector为单位进行擦除。一个sector由多个page组成。

四、实现总览

NVM

• 提供抽象数据存储。
• 启动和下电的时候数据的处理。
• 将NV数据与rom默认值和RAM工作副本包括永久块或临时块的关联。
• 数据可能分布在多个“设备”上。
• 显式同步。
• 改进工作处理
• BSWM支持*

MEMIF

• 提供在FLASH或者EEPROM 和上层之间的调度。

FEE/EA

• 对NVM 的抽象。

FLS/EEP

• 访问memory 的驱动或者通过SPI访问片外内存的驱动。

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