本文详细介绍了MOSFET在开关过程中的损耗计算，包括开通损耗和关断损耗。通过应用测试电路和开关波形，利用上升时间(tri)和下降时间(tfi)等参数进行损耗分析。在SwitchOn阶段计算得到tfu，在SwitchOff阶段得到tru，为理解和优化MOSFET在电力转换系统中的效率提供了关键信息。
参考文章：《MOSFET Power Losses Calculation Using the DataSheet Parameters》infineon
MOSFET损耗：
- 驱动损耗；
- 开关损耗；1）开通损耗、2）关断损耗
- 导通损耗。
下面主要介绍 2 的情况。
应用测试电路如下：
开关波形大致如下：
根据上述波形，电压电流积分来计算损耗：
2.2.3小节中，有变量tri，tfu，tru，tfi。其中tri和tfi是datasheet中的上升时间和下降时间；tfu，tru通过后面的计算得到。
Switch On阶段：得到 tfu
Switch Off阶段：得到 tru
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