转载:
https://www.sekorm.com/news/77072102.html
参考:
https://bbs.21dianyuan.com/thread-46157-1-1.html
并联的吸收电容一般都是uF级别,而IGBT/ MOSFET的寄生电容是pF级,数量级增大,根据链接中得出的结论,吸收电容有效抑制尖峰电压。
图片链接中的零输入响应公式亲自推算过,公式准确。
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并联的吸收电容一般都是uF级别,而IGBT/ MOSFET的寄生电容是pF级,数量级增大,根据链接中得出的结论,吸收电容有效抑制尖峰电压。
图片链接中的零输入响应公式亲自推算过,公式准确。