半桥配置中的死区时间
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半桥结构:半桥配置通常包含一个高端MOSFET和一个低端MOSFET,用于控制负载电流的流向。在PWM(脉宽调制)控制的情况下,这两个MOSFET交替导通。
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死区时间:死区时间是指在高端MOSFET关断后和低端MOSFET导通前的时间段。在此期间,由于高端MOSFET已经关断,而低端MOSFET尚未导通,电流通过高端MOSFET的体二极管(反向导通的二极管)进行续流。
反向恢复效应
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体二极管续流:当高端MOSFET关断时,电流会继续流动通过其体二极管。在死区时间结束后,低端MOSFET开始导通,此时高端MOSFET的体二极管会经历反向恢复,释放储存的电荷。
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负向电流尖峰:高端MOSFET的反向恢复会引起瞬时负向电流尖峰,这会通过低端MOSFET流动,导致低端MOSFET的导通损耗增加。这种负向电流尖峰不仅增加了能量损耗,还可能影响系统的稳定性。
导通损耗和电压应力
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导通损耗增加:由于低端MOSFET在高端MOSFET的反向恢复期间会经历瞬时的负向电流,这会导致其导通损耗增加,从而影响整体系统的效率。
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电压上升率和尖峰:在高端MOSFET关断的瞬间,电压会快速上升,形成高电压尖峰。如果这种电压尖峰超出了MOSFET的额定值,可能会导致器件过应力,缩短其使用寿命或导致器件损坏。
解决方案
为了减轻上述问题,设计时可以考虑以下方法:
- 优化死区时间:合理选择死区时间,以减少负向电流尖峰的影响,平衡开关损耗和导通损耗。
- 使用快速恢复二极管:在高端MOSFET的体二极管附近使用快速恢复二极管,可以减少反向恢复时间和电荷,从而减轻负向电流尖峰。
- 改善MOSFET的选择:选择具有较低反向恢复电荷的MOSFET,或者使用专为降低导通损耗和反向恢复特性而设计的MOSFET。
总结
在半桥配置中,死区时间的优化和对高端、低端MOSFET特性的深入理解是实现高效和可靠电源转换的重要环节。通过合理的设计选择和优化,可以有效降低导通损耗和器件过应力,提升整体性能。
当然可以!以下是一个具体的例子,以帮助说明半桥配置中死区时间、反向恢复效应以及其对MOSFET性能的影响。
示例:560W DC-DC变换器中的半桥配置
假设我们设计一个560W的DC-DC变换器,使用半桥拓扑结构来实现电压转换。该变换器的工作频率为100 kHz,使用了两个N沟道MOSFET:高端MOSFET(M1)和低端MOSFET(M2)。
1. 死区时间设定
- 死区时间:在这种应用中,我们设定的死区时间为200 ns。此时间段在高端MOSFET(M1)关断后,低端MOSFET(M2)导通之前,电流通过高端MOSFET的体二极管续流。
2. 反向恢复效应
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高端MOSFET(M1)关断:当M1关断时,电流流经M1的体二极管(D1)。此时,D1继续导通,提供负载所需的电流。
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低端MOSFET(M2)导通:在200 ns的死区时间结束后,M2导通。此时,由于M1的体二极管D1在关断过程中储存了一定的反向恢复电荷(Qrr),此电荷在M2导通时会释放,导致负向电流尖峰。
3. 导通损耗增加
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负向电流尖峰:假设反向恢复电荷为300 nC。这个电荷的释放导致M2在导通瞬间经历了一个负向电流尖峰,可能达到数安培的瞬时值。
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导通损耗:由于该负向电流尖峰的影响,M2的导通损耗(Pcon)增加。例如,如果M2的导通电阻为10 mΩ,负向电流尖峰为5A,则损耗可以计算为:
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4. 电压上升率和尖峰
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电压上升率:当M1关断时,电压会快速上升。例如,M1的漏极电压从0V跃升至600V(假设变换器的输出电压为600V)。由于开关速度非常快,可能导致电压上升率(dv/dt)非常高,如1000V/μs。
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电压尖峰:这种快速上升可能导致高电压尖峰,超出MOSFET的额定值,造成过应力。如果M1的额定电压为700V,过大的电压尖峰可能会导致器件损坏。
5. 解决方案
为了解决上述问题,我们可以采取以下措施:
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优化死区时间:可以将死区时间缩短到150 ns,以减少负向电流尖峰的持续时间,降低对M2的损害。
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使用快速恢复二极管:选择快速恢复二极管代替MOSFET的体二极管,降低反向恢复时间,减小反向恢复电荷,从而减少负向电流尖峰。
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选择合适的MOSFET:选择具有较低的反向恢复电荷(如200 nC)和较高的额定电压(如800V)的MOSFET,以确保系统的稳定性和可靠性。
总结
通过上述示例,我们可以看到,在半桥配置中,死区时间的选择和高端、低端MOSFET的特性对于系统性能至关重要。合理的设计和优化可以有效减少导通损耗和电压应力,提高系统的整体效率和可靠性。