基于SiC技术的高效车载充电器（OBC）系统设计

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🚗 基于SiC技术的高效车载充电器（OBC）系统设计

随着电气化汽车的快速发展，传统基于硅（Silicon, Si）技术的功率器件已难以满足对效率、功率密度和高温工作的极致需求。碳化硅（SiC）器件因其优越的导电性、开关损耗更低、高工作结温、以及体二极管零反向恢复等特性，成为 EV 的理想选择。

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💡 SiC 与 IGBT 的核心对比

特性	SiC MOSFET	IGBT
导通行为	电阻特性，电压与电流成正比	P-N结，恒定0.7V压降
开关速度	快，温度影响小	慢，温度上升后开关损耗增加
开关损耗	恒定，温度无关	随温度升高而恶化
热导率	高（有利于散热）	相对低
应用温度范围	高达 175°C+	限制较多
系统效率	高